to252 купить оптом и в розницу

MUR1060CD Корпус TO252, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 10 А, Uпрям. 1.8 В, Особенности Ultra Fast, Iобр. 10 мкА, Время восстановления Диодов 35 нс, Емкость перехода 20пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

Производитель:

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

Наличие:

0 шт

Под заказ:

2 500 шт

Цена от:

от 24,78₽

MUR1060D Корпус TO252, Диод одиночный, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 10 А, Uпрям. 1.6 В, Особенности Ultra Fast, Iобр. 5 мкА, Время восстановления Диодов 35 нс, Емкость перехода 40пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

Производитель:

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

Наличие:

0 шт

Под заказ:

1 352 шт

Цена от:

от 23,58₽

IPD70R600P7SAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

700В

Ток стока макс.:

8.5А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

2 500 шт

Цена от:

от 30,42₽

BTS134DATMA1 IC PWR SWITCH 42V 3.5A TO252

Производитель:

Infineon Technologies

Тип переключателя:

General Purpose

Число выходов:

1

Отношение Вход:Выход:

1:1

Конфигурация выхода:

Low Side

Тип выхода:

N-Channel

Интерфейс:

On/Off

Напряжение на нагрузке:

42V (Max)

Выходной ток Макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

35 mOhm

Наличие:

0 шт

Под заказ:

2 500 шт

Цена от:

от 256,26₽

BTS142DATMA1 IC PWR SWITCH 42V 4.6A TO252

Производитель:

Infineon Technologies

Тип переключателя:

General Purpose

Число выходов:

1

Отношение Вход:Выход:

1:1

Конфигурация выхода:

Low Side

Тип выхода:

N-Channel

Интерфейс:

On/Off

Напряжение на нагрузке:

42V (Max)

Выходной ток Макс.:

4.6A

Сопротивление открытого канала:

23 mOhm

Наличие:

0 шт

Под заказ:

2 500 шт

Цена от:

от 303,66₽

BTS118DATMA1 Ключ силовой 42В 2.4A TO252

Производитель:

Infineon Technologies

Наличие:

0 шт

Под заказ:

2 500 шт

Цена от:

от 234,42₽

IPD80R4K5P7ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.5A серия серия COOLMOS P7 TO-252

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

1.5A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

4 411 шт

Цена от:

от 31,68₽

IPD65R400CEAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15.1A TO-252

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

15.1A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

827 шт

Цена от:

от 63,30₽

MBRL1060CD Корпус TO252, Сборка диодная, Uобр.макс. 60 В, Iпрям. (сред.) 10 А, Uпрям. 600 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 200 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

Производитель:

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

Наличие:

0 шт

Под заказ:

907 шт

Цена от:

от 17,70₽

MBR10100CDS Корпус TO252, Сборка диодная, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 10 А, Uпрям. 830 мВ, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 400пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на плату, SMT

Производитель:

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

Наличие:

0 шт

Под заказ:

2 500 шт

Цена от:

от 12,90₽

YJD60N02A Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 60 А, Rот.(мин) 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 27.9 нКл, Р=29 Вт, Сз=2 250пФ

Производитель:

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

Наличие:

0 шт

Под заказ:

3 648 шт

Цена от:

от 9,60₽

YJD50N03A Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 50 А, Rот.(мин) 5.4 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5.4 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=28 Вт, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, Сз=1 015пФ

Производитель:

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

Наличие:

0 шт

Под заказ:

3 544 шт

Цена от:

от 14,40₽

YJD25N10A Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 25 А, Rот.(мин) 43 мОм, Rот.при Uз(ном), min 43 мОм, Rот.при Uз(ном), max 46 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 51.4 нКл, Р=45 Вт, Сз=2 071пФ

Производитель:

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

Наличие:

0 шт

Под заказ:

2 500 шт

Цена от:

от 20,76₽

MJD31C-13 Биполярный транзистор NPN 100В 3A DPAK

Производитель:

Diodes Incorporated

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

10

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

17 941 шт

Цена от:

от 13,38₽

SPD50P03LGBTMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 50A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) TO-252 лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

50А

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

2 500 шт

Цена от:

от 151,98₽