to3p
GT50JR22(S1WLD,E,S
250W 600V TO-3P-3 Single IGBTs RoHS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Наличие:
0 шт
Под заказ:
2 007 шт
Цена от:
от 84,16₽
FQA28N50
500V 28.4A 160mOhm@10V,14.2A 310W 5V@250uA N Channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт
Под заказ:
390 шт
Цена от:
от 264,81₽
STFW40N60M2
MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-3PF; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Powe
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
210 шт
Цена от:
от 529,26₽
STGFW40V60DF
Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
150 шт
Цена от:
от 712,54₽
STGWT40HP65FB
IGBT, 650V, 80A, 175°C, 283W; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:283W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от:
от 248,97₽
STTH60AC06CPF
600V 40ns 30A 1 Pair Common Cathode 1.75V@30A TO-3PF Diode Arrays RoHS
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
210 шт
Цена от:
от 511,84₽
SGF23N60UFTU
75W 600V PT (Punch-Through) TO-3PF Single IGBTs RoHS
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт
Под заказ:
840 шт
Цена от:
от 120,21₽
SVF20NE50PN
TO-3P-3 MOSFETs ROHS
Производитель:
Silan Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
96 шт
Цена от:
от 120,48₽
SGT40N60FD2PN
TO-3P-3 IGBTs ROHS
Производитель:
Silan Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
223 шт
Цена от:
от 102,16₽
SGT40N60NPFDPN
TO-3P-3 IGBTs ROHS
Производитель:
Silan Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
360 шт
Цена от:
от 107,54₽
BTA425Z-800BTQ
TRIAC, 800V, 25A, IITO-3P;
Производитель:
WeEn Semiconductors
Наличие:
0 шт
Под заказ:
780 шт
Цена от:
от 141,57₽
MUR3060PT
Корпус TO2473, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 15 А, Uпрям. 1.6 В, Особенности Ultra Fast, Iобр. 5 мкА, Время восстановления Диодов 35 нс, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, THT
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Наличие:
0 шт
Под заказ:
1 680 шт
Цена от:
от 66,89₽
2SA1941-O(Q)
Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Наличие:
0 шт
Под заказ:
60 шт
Цена от:
от 358,75₽
2SC5198-O(Q)
Trans GP BJT NPN 140V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Наличие:
0 шт
Под заказ:
300 шт
Цена от:
от 302,70₽
2SC5200-O(Q)
TRANSISTOR, NPN, 230V, 15A, TO-3PL;
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Наличие:
0 шт
Под заказ:
1 507 шт
Цена от:
от 112,11₽
Сообщите мне о поступлении товара