Одиночные биполярные транзисторы

27
Напряжение КЭ Макс.: 350 В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (27)
BST39,115 BST39,115 Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
70 МГц
Наличие:
354 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 67,25
MJE15034G MJE15034G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 4 А, 50 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Наличие:
684 шт

Внешние склады:
530 шт
Цена от:
от 87,73
MJE15035G MJE15035G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 4 А, 50 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
508 шт

Внешние склады:
730 шт
Цена от:
от 78,18
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
9 224 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,38
BU941ZPFI BU941ZPFI Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 15 А, 65 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3PF
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
65 Вт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
16 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 359,26
MJL4281AG MJL4281AG Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 15 А, 230 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
230 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
35 МГц
Наличие:
31 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 563,73
MJL4302AG MJL4302AG Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 15 А, 230 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
230 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
35 МГц
Наличие:
19 шт

Внешние склады:
105 шт
Цена от:
от 477,18
2N6517 2N6517 Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А, 0.6 Вт
Производитель:
DC COMPONENTS CO., LTD
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
0.5 А
Мощность Макс.:
0.6 Вт
Тип монтажа:
Сквозной
2N6517BU 2N6517BU Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А, 0.63 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
200 МГц
2N6517TA 2N6517TA Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А, 0.6 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
0.5 А
Мощность Макс.:
0.6 Вт
2N6520TA 2N6520TA Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
200 МГц
BD159STU BD159STU Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
BSP19,115 BSP19,115 Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
1.2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
70 МГц
BU323ZG BU323ZG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 350 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
500
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
2 МГц
BUB323ZG BUB323ZG Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 350В 10A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
NPN - Darlington
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
500 @ 5A, 4.6V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
2 МГц
BUB323ZT4G BUB323ZT4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 350 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
500
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
2 МГц
BUB941ZTT4 BUB941ZTT4 Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 350В 15A D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
NPN - Darlington
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
300 @ 5A, 10V
Тип монтажа:
Поверхностный
DN350T05-7 DN350T05-7 Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
DP350T05-7 DP350T05-7 Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 0.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
FMMT6517TA FMMT6517TA Биполярный транзистор NPN 350В 0.5A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
330 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.32643 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"