Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

BC846BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

65 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

121 256 шт

Внешние склады:

87 500 шт

Аналоги:

300 347 шт

Цена от:

от 1,78₽

MMBT3904LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

71 693 шт

Внешние склады:

10 000 шт

Аналоги:

415 214 шт

Цена от:

от 1,05₽

BC847BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

68 614 шт

Внешние склады:

6 000 шт

Аналоги:

977 475 шт

Цена от:

от 1,75₽

-5% Акция

BC856BWT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.15Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

65 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

150 мВт

Коэффициент усиления hFE:

220

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

65 763 шт

Внешние склады:

44 564 шт

Аналоги:

410 744 шт

Цена от:

от 1,59₽

BC847CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

420

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

61 065 шт

Внешние склады:

225 005 шт

Аналоги:

643 651 шт

Цена от:

от 1,11₽

MMBT3906LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

250 МГц

Наличие:

51 349 шт

Внешние склады:

6 000 шт

Аналоги:

742 460 шт

Цена от:

от 1,09₽

BC857CLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

420

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

45 468 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

430 019 шт

Цена от:

от 1,87₽

BC856BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

65 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

220

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

35 704 шт

Внешние склады:

10 600 шт

Аналоги:

122 911 шт

Цена от:

от 1,09₽

MMBT2222ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

35 137 шт

Внешние склады:

2 000 шт

Аналоги:

66 195 шт

Цена от:

от 1,31₽

Акция

MMBT2907ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, 0.225Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

200 МГц

Наличие:

33 716 шт

Внешние склады:

87 583 шт

Аналоги:

479 861 шт

Цена от:

от 1,65₽

MMBTA92LT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.25 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

300 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

50 МГц

Наличие:

33 649 шт

Внешние склады:

4 100 шт

Аналоги:

246 493 шт

Цена от:

от 2,17₽

BCP56-16T1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 1.3 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

130 МГц

Наличие:

32 118 шт

Внешние склады:

1 100 шт

Аналоги:

281 192 шт

Цена от:

от 14,21₽

-5% Акция

BC847CWT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.15Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

150 мВт

Коэффициент усиления hFE:

420

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

30 519 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

417 826 шт

Цена от:

от 1,06₽

Акция

BC846BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.15W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

65 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

150 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

28 938 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

701 200 шт

Цена от:

от 1,52₽

MMBTA42LT1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

300 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

225 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

50 МГц

Наличие:

22 960 шт

Внешние склады:

29 500 шт

Аналоги:

127 885 шт

Цена от:

от 2,37₽

BC856ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.225Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

65 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

125

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

22 290 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

88 шт

Цена от:

от 2,19₽

BCX19LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.225 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Наличие:

21 438 шт

Внешние склады:

4 000 шт

Аналоги:

13 840 шт

Цена от:

от 3,66₽

MMBT5401LT1G Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

150 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

17 328 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Аналоги:

142 881 шт

Цена от:

от 2,34₽

BSP52T1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

800 мВт

Коэффициент усиления hFE:

2000

Тип монтажа:

Поверхностный

Наличие:

15 779 шт

Внешние склады:

39 588 шт

Цена от:

от 18,32₽

-5% Акция

BC857CWT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.15 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

150 мВт

Коэффициент усиления hFE:

420

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

14 236 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

37 356 шт

Цена от:

от 3,30₽