Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1111)
2N3055AG Биполярный транзистор NPN 60В 15А 115Вт Кус 20-70 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 15A Мощность Макс.: 115 W Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
563 шт
Цена от:
от 87,50
2N3055G Биполярный транзистор NPN 60В 15А 115Вт Кус 20-70 2,5МГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 15A Мощность Макс.: 115 W Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
563 шт
Цена от:
от 87,50
2N3442G Биполярный транзистор NPN 140В 10А 117Вт Кус 20-70 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140V Ток коллектора Макс.: 10A Мощность Макс.: 117 W Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной
2N3771G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 30A Мощность Макс.: 150 W Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной
2N3772G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 20A Мощность Макс.: 150 W Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной
2N3773G Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140V Ток коллектора Макс.: 16A Мощность Макс.: 150 W Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной
2N3904BU Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 625 mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной
2N3904TA Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.625Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 625 mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной
2N3904TAR Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.625Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA
2N3904TAR Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
2N3904TF TRANS NPN 40V 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
2N3904TFR TRANS NPN 40V 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
2N3906BU Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 625 mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной
2N3906TA Биполярный транзистор PNP 40В 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 625 mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной
2N3906TAR Транзистор биполярный PNP 40В 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 625 mW Коэффициент усиления hFE: 100 @ 10mA, 1V Тип монтажа: Through Hole
2N3906TFR Биполярный транзистор PNP 40В 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 625 mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной
2N4401BU Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 625 mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной
2N4401TA Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.63 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 625 mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной
2N4401TFR Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
2N4403BU Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 625 mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной
На странице: