Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1113)
2N3055AG 2N3055AG Биполярный транзистор NPN 60В 15А 115Вт Кус 20-70
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
115 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
6 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
891 шт
Цена от:
от 65,04
2N3055G 2N3055G Биполярный транзистор NPN 60В 15А 115Вт Кус 20-70 2,5МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
115 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
2.5 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
891 шт
Цена от:
от 65,04
2N3442G 2N3442G Биполярный транзистор NPN 140В 10А 117Вт Кус 20-70
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
140 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
117 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
80 кГц
2N3771G 2N3771G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 30 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
30 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
200 кГц
2N3772G 2N3772G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 20 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
20 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
200 кГц
Акция
2N3773G 2N3773G Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 16 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
140 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
2N3904BU 2N3904BU Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
300 МГц
2N3904TA 2N3904TA Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.625Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
2N3904TAR 2N3904TAR Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.625Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
2N3904TAR 2N3904TAR Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
2N3904TF 2N3904TF TRANS NPN 40V 0.2A TO-92
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
2N3904TFR 2N3904TFR TRANS NPN 40V 0.2A TO-92
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
2N3906BU 2N3906BU Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
250 МГц
2N3906TA 2N3906TA Биполярный транзистор PNP 40В 0.2A TO-92
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-92_formed_leads
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
250 МГц
2N3906TAR 2N3906TAR Транзистор биполярный PNP 40В 0.2A TO-92
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 10mA, 1V
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
250 МГц
2N3906TFR 2N3906TFR Биполярный транзистор PNP 40В 0.2A TO-92
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
250 МГц
2N4401BU 2N4401BU Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
250 МГц
Акция
2N4401TA 2N4401TA Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.63 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-92_formed_leads
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
250 МГц
2N4401TFR 2N4401TFR Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
2N4403BU 2N4403BU Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
7 158 шт
Цена от:
от 2,70
На странице: