Одиночные биполярные транзисторы

238
Напряжение КЭ Макс.: 80 В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (238)
BSS64,215 BSS64,215 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
BSS64LT1G BSS64LT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
D44H11G D44H11G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
569 шт
Цена от:
от 61,04
D45H11G D45H11G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
40 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
681 шт
Цена от:
от 35,36
FMMT620TA FMMT620TA Биполярный транзистор NPN 80В 1.5A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
160 МГц
KSE44H11 KSE44H11 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
1.67 Вт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
KSE44H11TU KSE44H11TU Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
1.67 Вт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
KTD2092 KTD2092 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 3 А., 25 Вт
Производитель:
Korea Electronics
Корпус:
TO-220F
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Мощность Макс.:
25 Вт
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
64 шт
Цена от:
от 82,25
MJB45H11G MJB45H11G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
40 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
99 шт
Цена от:
от 44,48
MJD45H11-1G MJD45H11-1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
90 МГц
MJD6039T4G MJD6039T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
500
Тип монтажа:
Поверхностный
MJE172G MJE172G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
MJE182G MJE182G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
MJE703G MJE703G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
MJE802G MJE802G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
MJE803G MJE803G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
MJF44H11G MJF44H11G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
86 935 шт
Цена от:
от 1,04
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.3393 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"