Одиночные биполярные транзисторы

344
Граничная частота: 100 МГц
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (344)
BC858BLT3G BC858BLT3G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
118 057 шт
Цена от:
от 0,53
BC858BWT1G BC858BWT1G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 222 шт
Цена от:
от 3,16
BC858CLT3G BC858CLT3G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 670 шт
Цена от:
от 0,91
BC859C,235 BC859C,235 Транзистор биполярный PNP 30В 0.1A SOT23
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420 @ 2mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 367 шт
Цена от:
от 1,80
BC859CW,135 BC859CW,135 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 000 шт
Цена от:
от 8,81
BC860B,235 BC860B,235 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
6 723 шт
Цена от:
от 5,32
BC860C,235 BC860C,235 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 290 шт
Цена от:
от 2,33
BCV71,215 BCV71,215 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
110
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
BCW30,215 BCW30,215 Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
32 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
215
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
620 шт
Цена от:
от 0,71
BCW32,215 BCW32,215 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
32 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 613 шт
Цена от:
от 0,91
BCW32,235 BCW32,235 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
32 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 613 шт
Цена от:
от 0,91
BCW61B,215 BCW61B,215 Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
32 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
180
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Акция
BCW61C,215 BCW61C,215 Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.1 А, 0.25Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
32 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
BCW61C,235 BCW61C,235 Биполярный транзистор PNP 32В 0.1A SOT23
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
32 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
BCW61D,215 BCW61D,215 Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
32 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
380
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Акция
BCW65ALT1G BCW65ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
32 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
BCW65CLT1G BCW65CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
32 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Биполярный транзистор NPN 45В 0.8A SOT-23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
6 695 шт
Цена от:
от 3,72
BCW68GLT1G BCW68GLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
BCW72,235 BCW72,235 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
16 174 шт
Цена от:
от 3,48
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.32895 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"