Одиночные биполярные транзисторы

344
Граничная частота: 100 МГц
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (344)
FZT789ATA FZT789ATA Транзистор биполярный PNP 25В 3A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
300 @ 10mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
FZT790A FZT790A Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
FZT796ATA FZT796ATA Транзистор биполярный PNP 200В 0.5A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
200 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
300 @ 10mA, 10V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
FZT849TA FZT849TA Транзистор биполярный NPN 30В 7A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
7 А
Мощность Макс.:
3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 1A, 1V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
FZT949TA FZT949TA Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 5.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
5.5 А
Мощность Макс.:
3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
MBT35200MT1G MBT35200MT1G Биполярный транзистор, PNP, 35 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
35 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
MMBT5401-TP MMBT5401-TP Биполярный транзистор PNP 150В 0.6A SOT23
Производитель:
Micro Commercial Components
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
150 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 10mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
202 071 шт
Цена от:
от 0,63
Акция
MMBT5551 MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
147 064 шт
Цена от:
от 0,45
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
90 285 шт
Цена от:
от 1,05
MMBTA06WT1G MMBTA06WT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Акция
MPSA06G MPSA06G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
100 МГц
NSL12AWT1G NSL12AWT1G Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
12 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
450 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
NSS20200LT1G NSS20200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
20 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
460 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
NSS30101LT1G NSS30101LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
310 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
NSS35200MR6T1G NSS35200MR6T1G Биполярный транзистор, PNP, 35 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
35 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
NSS40200LT1G NSS40200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
460 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А, 0.54Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
460 мВт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
NSS60201LT1G NSS60201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А, 0.54W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
460 мВт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
NSS60600MZ4T1G NSS60600MZ4T1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
6 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.32895 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"