Одиночные биполярные транзисторы

73
Граничная частота: 200 МГц
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (73)
Акция
BSR16 BSR16 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.8 А, 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 128 шт
Цена от:
от 7,35
BST50,115 BST50,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 45 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
BST51,115 BST51,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
BST60,115 BST60,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 45 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
BST61,115 BST61,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
DZT2907A-13 DZT2907A-13 Биполярный транзистор PNP 60В 0.6A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 150mA, 10V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
FMMT722TA FMMT722TA Биполярный транзистор PNP 70В 1.5A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
70 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
FMMT723TA FMMT723TA Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
FZT7053TA FZT7053TA Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 100В 1.5A SOT223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN - Darlington
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
6.25 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000 @ 1A, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
KSP2907ABU KSP2907ABU Биполярный транзистор PNP 60В 0.6A TO-92
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 497 шт
Цена от:
от 4,10
MMBT2907A-TP MMBT2907A-TP Биполярный транзистор PNP 60В 0.6A SOT-23
Производитель:
Micro Commercial Components
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 150mA, 10V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
794 617 шт
Цена от:
от 0,47
MMBT2907AT-7-F MMBT2907AT-7-F Биполярный транзистор PNP 60В 0.6A SOT523
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
MMBT4403-7-F MMBT4403-7-F Биполярный транзистор PNP 40В 0.6A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
346 775 шт
Цена от:
от 0,52
MMBT4403-TP MMBT4403-TP Биполярный транзистор PNP 40В 0.6A SOT23
Производитель:
Micro Commercial Components
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 150mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
346 775 шт
Цена от:
от 0,52
MMBT4403LT3G MMBT4403LT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
346 775 шт
Цена от:
от 0,52
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
MMBT6517LT1G MMBT6517LT1G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
MMST2907A-7-F MMST2907A-7-F Биполярный транзистор PNP 60В 0.6A SC70-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
NSS12100UW3TCG NSS12100UW3TCG Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-WDFN (2x2)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
12 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
740 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
NZT7053 NZT7053 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 1.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.31555 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"