Одиночные биполярные транзисторы

160
Напряжение КЭ Макс.: 30 В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (160)
FMMT589TA FMMT589TA Транзистор биполярный PNP 30В 1A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 500mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 8,76
FZT849TA FZT849TA Транзистор биполярный NPN 30В 7A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
7 А
Мощность Макс.:
3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 1A, 1V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 876 шт
Цена от:
от 36,30
FZT949TA FZT949TA Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 5.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
5.5 А
Мощность Макс.:
3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 175 шт
Цена от:
от 36,36
KSP13BU KSP13BU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
125 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
90 шт
Цена от:
от 30,60
KSP13TA KSP13TA Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
125 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 10,98
MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.05 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 368 шт
Цена от:
от 3,30
MMBTA13-7-F MMBTA13-7-F Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 269 шт
Цена от:
от 3,00
MMBTA14LT1G MMBTA14LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 769 шт
Цена от:
от 2,34
MMBTA63LT1G MMBTA63LT1G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 3,72
STD888T4 STD888T4 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 5 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
15 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 19,74
Акция
STN790A STN790A Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 3 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.6 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 23,46
2N5088G 2N5088G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.05 А, 0.625 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
2N6111G 2N6111G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
7 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
10 МГц
Акция
2SA608N 2SA608N Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.1 Вт
Производитель:
Sanyo Semiconductors
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Мощность Макс.:
0.1 Вт
2SA952 2SA952 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.7 А, Р=0.6 Вт
Производитель:
Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
0.7 А
Мощность Макс.:
0.6 Вт
Граничная частота:
160 МГц
2SA966 2SA966 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 1.5 А, 0.9 Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-92MOD/formed
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
0.9 Вт
Акция
2SC1317 2SC1317 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.5 А, 0.625 Вт
Производитель:
Matsushita Electronics
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
0.5 А
Мощность Макс.:
0.625 Вт
2SC1684 2SC1684 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 01 А, 025 Вт
Производитель:
No name
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Мощность Макс.:
0.25 Вт
Акция
2SC2001 2SC2001 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.7 А, 0.6 Вт
Производитель:
Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
0.7 А
Мощность Макс.:
0.6 Вт
2SC2512 2SC2512 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 50 мА, 0.3 Вт
Производитель:
Hitachi Ltd.
Корпус:
TO92/formed lead
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
0.3 Вт
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.3096 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"