Одиночные биполярные транзисторы

87
Граничная частота: 150 МГц
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (87)
FMMT491TA FMMT491TA Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 217 шт
Цена от:
от 6,60
FMMT493ATA FMMT493ATA Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
7 220 шт
Цена от:
от 6,33
FMMT596TA FMMT596TA Биполярный транзистор, PNP, 200 В, 0.3 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
200 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
85
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
FZT1048ATA FZT1048ATA Транзистор биполярный NPN 17.5В 5A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
17.5 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
300 @ 1A, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
FZT491ATA FZT491ATA Транзистор биполярный NPN 40В 1A SOT223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
300 @ 500mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
FZT491TA FZT491TA Транзистор биполярный NPN 60В 1A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 500mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
FZT692BTA FZT692BTA Биполярный транзистор NPN 70В 2A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
70 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
KSA1381ESTU KSA1381ESTU Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
7 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
150 МГц
KSC3503DS KSC3503DS Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
7 Вт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
150 МГц
KSC5019MTA KSC5019MTA Биполярный транзистор, NPN, 10 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
10 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
750 мВт
Коэффициент усиления hFE:
140
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
150 МГц
KSD5041QTA KSD5041QTA Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
20 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
750 мВт
Коэффициент усиления hFE:
230
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
150 МГц
KSD5041RTA KSD5041RTA Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
20 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
750 мВт
Коэффициент усиления hFE:
340
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
150 МГц
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
NSS20201LT1G NSS20201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
20 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
460 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
NSS40201LT1G NSS40201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
460 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
NSS40501UW3T2G NSS40501UW3T2G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-WDFN (2x2)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
875 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
NZT605 NZT605 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 110 В, 1.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
110 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
PBSS302ND,115 PBSS302ND,115 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 4 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
1.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
PBSS4240V,115 PBSS4240V,115 Биполярный транзистор NPN 40В 2A SOT666
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
900 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
PBSS4440D,115 PBSS4440D,115 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 4 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
1.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.33712 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"