Одиночные биполярные транзисторы

120
Мощность Макс.: 300 мВт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (120)
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
801 063 шт
Цена от:
от 0,28
MMBT4124-7-F MMBT4124-7-F Биполярный транзистор NPN 25В 0.2A SMD SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
MMBT4401-7-F MMBT4401-7-F Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SMD SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 029 224 шт
Цена от:
от 0,50
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 029 224 шт
Цена от:
от 0,50
MMBT4403-7-F MMBT4403-7-F Биполярный транзистор PNP 40В 0.6A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
321 672 шт
Цена от:
от 0,53
MMBT4403LT3G MMBT4403LT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
321 672 шт
Цена от:
от 0,53
MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.05 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 0.05 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
400
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
MMBT5401-7-F MMBT5401-7-F Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.6 А, 0.3 Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
150 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
201 636 шт
Цена от:
от 0,62
MMBT5401-TP MMBT5401-TP Биполярный транзистор PNP 150В 0.6A SOT23
Производитель:
Micro Commercial Components
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
150 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 10mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
201 636 шт
Цена от:
от 0,62
MMBTA13-7-F MMBTA13-7-F Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
MMBTA42-7-F MMBTA42-7-F Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
193 541 шт
Цена от:
от 0,89
MMBTA92-7-F MMBTA92-7-F Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
355 839 шт
Цена от:
от 0,93
MMBTA92LT3G MMBTA92LT3G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
355 839 шт
Цена от:
от 0,93
SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC807-25LT1G SBC807-25LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC807-25LT3G SBC807-25LT3G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC807-40LT1G SBC807-40LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
609 776 шт
Цена от:
от 0,69
SBC817-16LT3G SBC817-16LT3G Биполярный транзистор NPN 45В 0.5A SOT-23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Акция
SBC817-40LT1G SBC817-40LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 227 141 шт
Цена от:
от 0,51
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.33712 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"