Одиночные биполярные транзисторы

143
Мощность Макс.: 2 Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (143)
FZT790A FZT790A Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
FZT796ATA FZT796ATA Транзистор биполярный PNP 200В 0.5A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
200 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
300 @ 10mA, 10V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
MJB41CG MJB41CG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
6 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
689 шт
Цена от:
от 81,73
MJB42CT4G MJB42CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
6 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
58 шт
Цена от:
от 86,58
MJB45H11G MJB45H11G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
40 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
99 шт
Цена от:
от 44,20
Акция
MJE5742G MJE5742G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 400 В, 8 А, 2 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
400 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Сквозной
MJF122G MJF122G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Сквозной
MJF127G MJF127G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Сквозной
MJF2955G MJF2955G Биполярный транзистор, PNP, 90 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
90 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
2 МГц
MJF3055G MJF3055G Биполярный транзистор, NPN, 90 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
90 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
2 МГц
MJF31CG MJF31CG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
MJF32CG MJF32CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
MJF44H11G MJF44H11G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
MJF6388G MJF6388G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
3000
Тип монтажа:
Сквозной
NJT4030PT1G NJT4030PT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
160 МГц
NJT4030PT3G NJT4030PT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
160 МГц
NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
175
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
160 МГц
Акция
NSS40301MZ4T1G NSS40301MZ4T1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А, 2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
215 МГц
NSS40301MZ4T3G NSS40301MZ4T3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
215 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.35672 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"