Одиночные биполярные транзисторы

1194
Тип транзистора: NPN
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1194)
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 029 224 шт
Цена от:
от 0,50
MMBT4401M3T5G MMBT4401M3T5G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
265 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
MMBT5088 MMBT5088 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.05 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
MMBT5089 MMBT5089 Биполярный транзистор, NPN, 25 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
400
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 0.05 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
400
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Акция
MMBT5551 MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
119 138 шт
Цена от:
от 0,52
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
119 138 шт
Цена от:
от 0,52
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.06 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
60 мА
Мощность Макс.:
265 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
MMBT5962 MMBT5962 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
600
Тип монтажа:
Поверхностный
MMBT6429LT1G MMBT6429LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
500
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
700 МГц
MMBT6517LT1G MMBT6517LT1G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
66 739 шт
Цена от:
от 1,05
MMBTA06Q-7-F MMBTA06Q-7-F Транзистор общего применения биполярный NPN 80В 0.5A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
0.5 А
Тип монтажа:
Поверхностный
MMBTA06WT1G MMBTA06WT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
MMBTA42-7-F MMBTA42-7-F Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
193 141 шт
Цена от:
от 0,89
MMDT3946-7-F MMDT3946-7-F Биполярный транзистор сборка NPN/PNP 40В 0.2A SOT363
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
0.2 Вт
MMST2222A-7-F MMST2222A-7-F Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
MMST2222AT146 MMST2222AT146 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6A
Производитель:
ROHM
Корпус:
SMT3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.34104 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"