Одиночные биполярные транзисторы

183
Ток коллектора Макс.: 500 мА
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (183)
BCX17,235 BCX17,235 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
80 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
58 682 шт
Цена от:
от 3,06
BCX18,215 BCX18,215 Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 0.5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
80 МГц
BD159STU BD159STU Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
BUXD87T4 BUXD87T4 Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 0.5 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
450 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
12
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
20 МГц
FMB100 FMB100 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
700 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
FZT796ATA FZT796ATA Транзистор биполярный PNP 200В 0.5A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
200 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
300 @ 10mA, 10V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
FZT958TA FZT958TA Транзистор биполярный PNP 400В 0.5A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
400 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 500mA, 10V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
85 МГц
KSC2752OSTU KSC2752OSTU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
400 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
KST42MTF KST42MTF Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
MJD340G MJD340G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
17 067 шт
Цена от:
от 12,19
MJD340TF MJD340TF Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
17 067 шт
Цена от:
от 18,45
MMBT100 MMBT100 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
MMBT200 MMBT200 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
MMBTA92 MMBTA92 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
Diotec Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
576 112 шт
Цена от:
от 0,91
MMBTA92LT3G MMBTA92LT3G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
576 112 шт
Цена от:
от 0,91
MMJT350T1G MMJT350T1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
650 мВт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Акция
MPSA06G MPSA06G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
100 МГц
MPSA56G MPSA56G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
MPSA92G MPSA92G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
Continental Device India Limited
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
0.625 Вт
MSB92ASWT1G MSB92ASWT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.31648 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"