Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (316)

BC847BWQ-13-F Производитель: Diodes Incorporated

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

18 209 шт

Цена от:

от 1,01₽

BC847C-13-F Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 мГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

123 239 шт

Цена от:

от 0,81₽

BC847C-7-F Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 мГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

123 239 шт

Цена от:

от 0,81₽

BC847CT-7-F TRANS NPN 45V 0.1A SOT-523 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении

BC847CW-7-F Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 мГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

307 363 шт

Цена от:

от 1,17₽

BC848A-7-F TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 мГц

Сообщить о поступлении

BC848BW-7-F Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 мГц

Сообщить о поступлении

BC848C-7-F Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 мГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 154 шт

Цена от:

от 0,72₽

BC848CW-7-F TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 мГц

Сообщить о поступлении

BC856A-7-F Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 125 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 мГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

15 182 шт

Цена от:

от 1,23₽

BC856AW-7-F TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 125 @ 2mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 мГц

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

6 416 шт.

Цена от:

от 2,75₽

BC856B-13-F Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 310 Вт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 мГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

104 967 шт

Цена от:

от 0,59₽

BC856B-7-F Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 мГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

104 967 шт

Цена от:

от 0,59₽

BC856BW-7-F Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 мГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

462 382 шт

Цена от:

от 1,24₽

BC857A-7-F Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 125 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 мГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

924 шт

Цена от:

от 0,79₽

BC857AT-7-F TRANS PNP 45V 0.1A SOT523 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 125 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении

BC857B-7-F Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 мГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

249 226 шт

Цена от:

от 0,64₽

BC857BFZ-7B TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN060 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN0606-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 435 мВт Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении

BC857BLP4-7 Транзистор биполярный PNP 45В 0.1A 3-DFN Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 @ 2mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении

BC857BT-7-F Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении