Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (316)
FZT757TA Транзистор биполярный PNP 300В 0.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 50 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Surface Mount
FZT758TA TRANS PNP 400V 0.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400V Ток коллектора Макс.: 500mA
FZT789ATA Транзистор биполярный PNP 25В 3A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 300 @ 10mA, 2V Тип монтажа: Surface Mount
FZT792ATA TRANS PNP 70V 2A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 70V Ток коллектора Макс.: 2A
FZT796ATA Транзистор биполярный PNP 200В 0.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 200V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 300 @ 10mA, 10V Тип монтажа: Surface Mount
FZT849TA Транзистор биполярный NPN 30В 7A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 7A Мощность Макс.: 3W Коэффициент усиления hFE: 100 @ 1A, 1V Тип монтажа: Surface Mount
FZT851TA Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А, 3Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 6A Мощность Макс.: 3W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
FZT853TA Транзистор биполярный NPN 100В 6A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 6A Мощность Макс.: 3W Коэффициент усиления hFE: 100 @ 2A, 2V Тип монтажа: Surface Mount
FZT855TA TRANS NPN 150V 5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150V Ток коллектора Макс.: 5A Мощность Макс.: 3W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
FZT857QTA Производитель: Diodes Incorporated
FZT857TA Транзистор биполярный NPN 300В 3.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 3.5A Мощность Макс.: 3W Коэффициент усиления hFE: 100 @ 500mA, 10V Тип монтажа: Surface Mount
FZT949TA Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 5.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 5.5A Мощность Макс.: 3W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
FZT951TA TRANS PNP 60V 5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 5A Мощность Макс.: 3W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
FZT953TA Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 5 А, 3 Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 5A Мощность Макс.: 3W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
FZT955TA Биполярный транзистор, PNP, 180В, 4А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223
FZT957TA Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 3W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
FZT958TA Транзистор биполярный PNP 400В 0.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 3W Коэффициент усиления hFE: 100 @ 500mA, 10V Тип монтажа: Surface Mount
MJD31C-13 TRANS NPN 100V 3A DPAK Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 1.56W Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный
MJD31CQ-13 Транзистор биполярный NPN 100В 3A DPAK Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO-252 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 15W Коэффициент усиления hFE: 10 @ 3A, 4V Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
65 шт
Цена от:
от 14,15
MJD32CQ-13 TRANS PNP 100V 3A TO252-3L Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
2 486 шт.
Цена от:
от 16,12
На странице: