Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

764
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (764)
-5% Акция
FMMT591TA FMMT591TA Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
Наличие:
913 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
24 шт
Цена от:
от 5,58
-5% Акция
ZXTP2009ZQTA ZXTP2009ZQTA Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 5.5 А, 3 Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Наличие:
901 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 17,16
BC847C-7-F BC847C-7-F Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
791 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 025 109 шт
Цена от:
от 2,66
-5% Акция
FZT705TA FZT705TA Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 2 А, 2Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
120 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
3000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
160 МГц
Наличие:
727 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 22,78
FZT651TA FZT651TA Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
175 МГц
Наличие:
716 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 17,49
ZXTN25100BFHTA ZXTN25100BFHTA Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.25 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
160 МГц
Наличие:
611 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 23,76
-5% Акция
FMMT619TA FMMT619TA Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А, 0.625Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
165 МГц
Наличие:
589 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,94
Акция
FMMT491ATA FMMT491ATA Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А, 0.5Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
Наличие:
557 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7,04
MMDT3904-7-F MMDT3904-7-F Биполярный транзистор сборка 2 NPN 40В 0.2A SOT363
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
0.2 Вт
Наличие:
481 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
207 341 шт
Цена от:
от 2,61
-5% Акция
FZT603TA FZT603TA Биполярный транзистор NPN Дарлингтона 80В 2A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
5000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
Наличие:
475 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 10,96
ZXT10N50DE6TA ZXT10N50DE6TA Биполярный транзистор NPN 50В 3A SOT23-6
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Наличие:
462 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 46,65
Акция
FMMT597TA FMMT597TA Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
Наличие:
403 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 8,56
FZT653TA FZT653TA Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
175 МГц
Наличие:
382 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 22,23
Новинка
FMMT720TA FMMT720TA Биполярный транзистор PNP 40В 1.5A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
190 МГц
Наличие:
357 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 8,75
FZT696BTA FZT696BTA Транзистор биполярный NPN 180В 0.5A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
180 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150 @ 200mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
70 МГц
Наличие:
308 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 43,70
ZXTP25100BFHTA ZXTP25100BFHTA Транзистор биполярный PNP средней мощности
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
257 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 37,42
-5% Акция
FZT493TA FZT493TA Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 250mA, 10V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
Наличие:
251 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 12,83
ZXTN25040DFHTA ZXTN25040DFHTA Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А, 1.25 Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
174 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 23,69
-5% Акция
MMBTA28-7-F MMBTA28-7-F Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,37
Акция
FMMT495TA FMMT495TA Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
150 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
88 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,14
На странице: