Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

763
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (763)
ZXTN25100DZTA ZXTN25100DZTA TRANS, NPN, 100V, 2.5A, 150°C, 2.4W;
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN26020DMFTA ZXTN26020DMFTA Trans GP BJT NPN 20V 1.5A 1000mW 3-Pin DFN EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN3035CLP-7B ZXTN3035CLP-7B
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN4000ZTA Trans GP BJT NPN 60V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89
ZXTN4002ZTA Trans GP BJT NPN 100V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89
ZXTN4004KQTC ZXTN4004KQTC Транзистор биполярный NPN 150В 1A TO252
Производитель:
Diodes Incorporated
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
150 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
ZXTN4004KTC ZXTN4004KTC Биполярный транзистор NPN 150В 1A TO252
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
150 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
3.8 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
ZXTN4240F-7 ZXTN4240F-7 TRANS, NPN, 40V, 2A, 150°C, 0.73W;
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN5551FLTA ZXTN5551FLTA TRANS, NPN, 160V, 0.6A, 150°C, 0.33W;
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN617MATA ZXTN617MATA Trans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN618MATA ZXTN618MATA Trans GP BJT NPN 20V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN619MATA ZXTN619MATA Биполярный транзистор NPN 50В 4A 3-DFN
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DFN2020B-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
165 МГц
ZXTN620MATA ZXTN620MATA TRANS, NPN, 80V, 3.5A, 150°C, 1.5W;
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTNS618MCTA ZXTNS618MCTA 20V 450@200mA,2V 19.6W 4.5A NPN DFN-8-EP(2x3) Bipolar (BJT) ROHS
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTP03200BGTA ZXTP03200BGTA Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTP05120HFFTA ZXTP05120HFFTA Trans Darlington PNP 120V 1A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTP07012EFFTA ZXTP07012EFFTA Trans GP BJT PNP 12V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTP07040DFFTA ZXTP07040DFFTA TRANS, PNP, 40V, 3A, 150°C, 1.5W;
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTP08400BFFTA ZXTP08400BFFTA ZXTP08400BFF Series 400 V 0.2 A PNP SMT Medium Power Transistor - SOT-23F
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23F
На странице: