Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (316)
DSS4160T-7 Биполярный транзистор NPN 60В 1A SOT23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 725mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
DSS4240T-7 TRANS NPN 40V 2A SOT-23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 600mW Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
DSS4540X-13 TRANS NPN 40V 4A SOT89-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 900mW Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный
DSS5140V-7 TRANS PNP 40V 1A SOT-563 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 600mW Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
DSS5160T-7 Биполярный транзистор PNP 60В 1A SOT23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 725mW Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный
DSS5240T-7 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 600mW Коэффициент усиления hFE: 210 Тип монтажа: Поверхностный
DSS5320T-7 TRANS PNP 20V 2A SOT23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 600mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
DSS60601MZ4-13 Биполярный транзистор NPN 60В 6A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 6A Мощность Макс.: 1200mW Тип монтажа: Поверхностный
DST3904DJ-7 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-963 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 0.2A Мощность Макс.: 300mW
DXT13003DG-13 TRANS NPN 450V 1.3A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 450V Ток коллектора Макс.: 1.3A Мощность Макс.: 700mW Коэффициент усиления hFE: 16 @ 500mA, 2V Тип монтажа: Surface Mount
DXT3904-13 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
DXTA42-13 TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный
DXTP19020DP5-13 TRANS PNP 20V 8A POWERDI5 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: PowerDI[тм] 5 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 8A Мощность Макс.: 3W Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
DZT2222A-13 TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
DZT2907A-13 TRANS PNP 60V 0.6A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 100 @ 150mA, 10V Тип монтажа: Surface Mount
Акция DZT5551-13 Биполярный транзистор NPN 160В 0.6A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный
FCX1053ATA TRANS NPN 75V 3A SOT-89 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 75V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
FCX493TA Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
FCX558TA Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
FCX658ATA TRANS NPN 400V 0.5A SOT-89 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 35 Тип монтажа: Поверхностный
На странице: