Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной(740)
Поверхностный(1300)
На корпус(5)
SMT(19)
Surface Mount(80)
Through Hole(26)
THT(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (316)

FMMT560TA Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.15 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 500V Ток коллектора Макс.: 150mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

FMMT589TA Транзистор биполярный PNP 30В 1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 100 @ 500mA, 2V Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FMMT591ATA Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 1 А, 0.5 Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

FMMT591QTA TRANS PNP 60V 1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

FMMT591TA Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

FMMT593TA Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

FMMT596TA Биполярный транзистор, PNP, 200 В, 0.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 200V Ток коллектора Макс.: 300mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 85 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

FMMT597TA Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

FMMT617TA Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 15V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

FMMT618TA Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 2.5A Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

Новинка

FMMT619 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 140 МГц, 625 мВт, 2 А, 450 hFE Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

FMMT619TA Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А, 0.625Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

FMMT620TA Биполярный транзистор NPN 80В 1.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 1.5A Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

FMMT624TA Биполярный транзистор, NPN, 125 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23

Сообщить о поступлении

FMMT625TA Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

FMMT634TA Биполярный транзистор NPN Дарлингтона 100В 0.9A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 0.9A

Сообщить о поступлении

FMMT6517TA TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 330mW Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

FMMT6520TA TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 330mW Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

FMMT717TA Биполярный транзистор PNP 12В 2.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12V Ток коллектора Макс.: 2.5A Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 300 @ 100mA, 2V Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FMMT718TA Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1.5 А 625 мВт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 1.5A Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении