Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (571)

PBSS5320D,115 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 750 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS5320X,135 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS5330PA,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: HUSON3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 175 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 165 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS5330X,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 175 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS5350D,115 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 750 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS5350X,135 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS5350Z,135 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS5360PASX Транзистор общего применения биполярный PNP 60В 3A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 3 А

Сообщить о поступлении

PBSS5360ZX Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 650 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS5440D,115 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 175 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS5480X,135 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS5520X,135 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS5560PA,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: HUSON3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 90 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS5580PA,115 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: HUSON3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 140 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS5620PA,115 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: HUSON3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 190 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 80 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS5630PA,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: HUSON3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 190 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 80 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS8110D,115 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 700 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS8110T,215 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 480 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении

PBSS8110Y,115 TRANS NPN 100V 1A 6TSSOP Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 1 А

Сообщить о поступлении

PBSS8110Z,135 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.4 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц

Сообщить о поступлении