Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1111)
SS8050DTA Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25V Ток коллектора Макс.: 1.5A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной
SS8550CBU Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25V Ток коллектора Макс.: 1.5A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Сквозной
SS8550DBU Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25V Ток коллектора Макс.: 1.5A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной
SS8550DTA Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25V Ток коллектора Макс.: 1.5A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной
SS9014CBU Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 450mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной
Акция SS9018HBU Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 50 мА, 0.4 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 15V Ток коллектора Макс.: 50 mA
TIP101G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
TIP102G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 80 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
180 шт
Цена от:
от 93,68
TIP102TU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
180 шт.
Цена от:
от 32,93
TIP105 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
TIP107G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 8A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
816 шт
Цена от:
от 82,89
TIP107TU Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
816 шт.
Цена от:
от 82,89
Акция TIP110 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
TIP110G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
TIP110TU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
TIP111G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
TIP112 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
TIP112G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
TIP112TU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
TIP115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
На странице: