Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
-6% Акция
MSB92WT1G MSB92WT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
6 000 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,88
-6% Акция
NJD2873T4G NJD2873T4G Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.68 Вт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
65 МГц
Наличие:
328 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 13,11
-6% Акция
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
215 МГц
Наличие:
510 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Аналоги:
2 443 шт
Цена от:
от 18,72
-6% Акция
NJT4031NT3G NJT4031NT3G Биполярный транзистор NPN 40В 3A SOT-223
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
215 МГц
Наличие:
2 443 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 510 шт
Цена от:
от 10,46
-6% Акция
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А, 2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
6 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
212 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 26,10
Акция
PZT2222AT1G PZT2222AT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 1.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
581 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Аналоги:
1 720 шт
Цена от:
от 10,07
Акция
PZT2907AT1G PZT2907AT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, 1.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
3 658 шт

Внешние склады:
13 000 шт
Аналоги:
12 000 шт
Цена от:
от 8,28
PZT3904T1G PZT3904T1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 1.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
2 401 шт

Внешние склады:
7 000 шт
Цена от:
от 16,48
-6% Акция
PZT651T1G PZT651T1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А, 0.8Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
75
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
Наличие:
4 163 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 19,28
-6% Акция
PZT751T1G PZT751T1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А, 0.8 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
75
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
Наличие:
555 шт

Внешние склады:
70 шт
Цена от:
от 13,74
PZTA42T1G PZTA42T1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 1.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
920 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Цена от:
от 10,58
-6% Акция
PZTA92T1G PZTA92T1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.05 А, 1.5W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
1 050 шт

Внешние склады:
7 744 шт
Аналоги:
12 500 шт
Цена от:
от 9,91
Акция
SBC817-25LT1G SBC817-25LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
380 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,87
-6% Акция
SBC846BWT1G SBC846BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
2 820 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
916 607 шт
Цена от:
от 2,84
-6% Акция
SBC847CLT1G SBC847CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
613 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 821 984 шт
Цена от:
от 1,10
-6% Акция
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Наличие:
457 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
592 144 шт
Цена от:
от 1,24
-6% Акция
SBCP56-16T1G SBCP56-16T1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
130 МГц
Наличие:
4 849 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
423 018 шт
Цена от:
от 7,73
SMMBT3906LT1G SMMBT3906LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
3 132 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
50 000 шт
Цена от:
от 6,93
SMMBTA06LT1G SMMBTA06LT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 000 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Аналоги:
282 612 шт
Цена от:
от 8,20
SS8050CBU SS8050CBU Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.5 А, 1Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
8 083 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 15,81
На странице: