Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
MJD200T4G MJD200T4G Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
1.4 Вт
Коэффициент усиления hFE:
45
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
65 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 42,79
MJD210G MJD210G Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
1.4 Вт
Коэффициент усиления hFE:
45
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
65 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 650 шт
Аналоги:
3 600 шт
Цена от:
от 22,06
MJD210RLG MJD210RLG Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
1.4 Вт
Коэффициент усиления hFE:
45
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
65 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 600 шт
Аналоги:
4 650 шт
Цена от:
от 28,43
MJD243G MJD243G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
1.4 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
40 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 175 шт
Аналоги:
2 500 шт
Цена от:
от 47,62
MJD243T4G MJD243T4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
1.4 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
40 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Аналоги:
2 175 шт
Цена от:
от 60,36
MJD2955T4G MJD2955T4G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
2 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Аналоги:
2 148 шт
Цена от:
от 27,38
MJD31CG MJD31CG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
726 шт
Аналоги:
52 596 шт
Цена от:
от 70,88
MJD31CRLG MJD31CRLG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 600 шт
Аналоги:
49 722 шт
Цена от:
от 48,76
MJD31T4G MJD31T4G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
16 095 шт
Аналоги:
37 227 шт
Цена от:
от 14,34
MJD32CRLG MJD32CRLG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 600 шт
Аналоги:
9 424 шт
Цена от:
от 53,67
MJD340T4G MJD340T4G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Аналоги:
11 967 шт
Цена от:
от 26,27
MJD41CRLG MJD41CRLG MJD41C Series 100 V 6 A Surface Mount Complementary Power Transistor - DPAK-3
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 800 шт
Цена от:
от 63,16
MJD42CG MJD42CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
6 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Аналоги:
6 472 шт
Цена от:
от 85,21
MJD42CRLG MJD42CRLG TRANS, PNP, 100V, 6A, 150°C, 20W;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 800 шт
Цена от:
от 62,89
MJD44E3T4G MJD44E3T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 45,33
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 850 шт
Цена от:
от 36,00
Акция
MJD44H11G MJD44H11G Биполярный транзистор, NPN, 80B, 8 А, 20 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
85 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 494 шт
Аналоги:
69 278 шт
Цена от:
от 42,48
MJD45H11-1G MJD45H11-1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
90 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 775 шт
Цена от:
от 37,08
MJD45H11G MJD45H11G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
90 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 365 шт
Аналоги:
51 280 шт
Цена от:
от 35,68
MJD45H11RLG MJD45H11RLG Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 600 шт
Аналоги:
54 045 шт
Цена от:
от 30,64
На странице: