Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

MJD47G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

10 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 025 шт

Аналоги:

4 022 шт

Цена от:

от 51,59₽

MJD47T4G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

10 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

4 022 шт

Аналоги:

2 025 шт

Цена от:

от 32,72₽

Акция

MJD50T4G Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А, 15 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

400 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

10 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 900 шт

Цена от:

от 30,87₽

MJD6039T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

500

Тип монтажа:

Поверхностный

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 56,83₽

MJE13007G Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 80 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

400 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

80 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

14 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 520 шт

Цена от:

от 52,67₽

-6% Акция

MJE15028G Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 8 А, 50W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

120 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

50 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Наличие:

13 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 37,73₽

MJE15031G Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 8 А, 50Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

150 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

50 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 455 шт

Цена от:

от 82,19₽

MJE172G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

50 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

9 115 шт

Цена от:

от 15,68₽

MJE18004G Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

450 В

Ток коллектора Макс.:

5 А

Мощность Макс.:

75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

13 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 100 шт

Цена от:

от 95,40₽

MJE182G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

50 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 500 шт

Цена от:

от 19,89₽

MJE270G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 15 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-126

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

15 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

30 шт

Цена от:

от 106,90₽

MJE5730G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

300 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

10 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 300 шт

Цена от:

от 78,87₽

MJE5731AG Биполярный транзистор, PNP, 375 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

375 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

10 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 250 шт

Цена от:

от 81,45₽

MJE5852G Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 8 А, 80 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

400 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

80 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

700 шт

Цена от:

от 155,19₽

MJF122G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

5 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

2000

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 450 шт

Цена от:

от 70,68₽

MJF127G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

5 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

2000

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 200 шт

Цена от:

от 87,04₽

Акция

MJF15030G Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 8 А, 36W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

150 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 100 шт

Цена от:

от 133,26₽

MJF3055G Биполярный транзистор, NPN, 90 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

90 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

2 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

600 шт

Цена от:

от 171,04₽

MJF31CG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 250 шт

Цена от:

от 83,39₽

MJH11019G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 200 В, 15 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

200 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

150 Вт

Коэффициент усиления hFE:

400

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

240 шт

Цена от:

от 451,11₽