Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

MJH11020G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 200 В, 15 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

200 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

150 Вт

Коэффициент усиления hFE:

400

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

330 шт

Цена от:

от 327,67₽

MJH11021G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 250 В, 15 А, 150 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

150 Вт

Коэффициент усиления hFE:

400

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

40 шт

Цена от:

от 793,74₽

MJH11022G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 250 В, 15 А, 150 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

150 Вт

Коэффициент усиления hFE:

400

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

28 шт

Внешние склады:

270 шт

Цена от:

от 388,97₽

MJH6284G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 20 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

20 А

Мощность Макс.:

160 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

450 шт

Цена от:

от 235,65₽

MJL21194G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-264

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

6 шт

Внешние склады:

410 шт

Цена от:

от 301,09₽

MJL4281AG Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 15 А, 230 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-264

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

350 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

230 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

35 МГц

Наличие:

31 шт

Внешние склады:

175 шт

Цена от:

от 622,30₽

MJL4302AG Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 15 А, 230 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-264

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

350 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

230 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

35 МГц

Наличие:

19 шт

Внешние склады:

105 шт

Цена от:

от 526,76₽

Акция

MJW21194G Биполярный транзистор, NPN, 250V, 16 А, 200 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

18 шт

Внешние склады:

106 шт

Цена от:

от 474,04₽

MJW21195G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

300 шт

Цена от:

от 345,95₽

MJW21196G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

35 шт

Цена от:

от 967,51₽

MJW3281AG Биполярный транзистор, NPN, 230 В, 15 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

230 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

300 шт

Цена от:

от 350,77₽

MMBT2222ALT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

60 000 шт

Аналоги:

2 194 715 шт

Цена от:

от 1,79₽

MMBT2222AM3T5G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-723

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

640 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

32 000 шт

Цена от:

от 3,35₽

MMBT2484LT1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

225 мВт

Коэффициент усиления hFE:

250

Тип монтажа:

Поверхностный

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

36 000 шт

Цена от:

от 2,95₽

MMBT2907AM3T5G TRANSISTOR, PNP, -60V, -0.6A, SOT-723; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:265mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:100hFE

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

24 000 шт

Цена от:

от 4,51₽

MMBT2907AWT1G TRANSISTOR, PNP, -60V, -600MA, SOT-323-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:50h

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

39 000 шт

Цена от:

от 2,65₽

MMBT3904LT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

80 000 шт

Аналоги:

2 604 433 шт

Цена от:

от 1,44₽

MMBT3906LT1H TRANS, PNP, -40V, -0.2A, 150°C; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:30hFE; Tra

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

12 000 шт

Цена от:

от 8,95₽

MMBT4401M3T5G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-723

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

265 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

250 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

8 000 шт

Цена от:

от 22,45₽

MMBT4401WT1G MMBT Series 40 V 600 mA SMT NPN Silicon Switching Transistor - SOT-323

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

66 000 шт

Цена от:

от 1,60₽