Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

MMBT4403LT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

200 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

50 000 шт

Аналоги:

635 932 шт

Цена от:

от 2,33₽

MMBT4403WT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70-3 (SOT323)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

150 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

200 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

42 000 шт

Цена от:

от 2,56₽

MMBT5087LT3G TRANS, PNP, 50V, 0.05A, 150°C, 0.25W;

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

20 000 шт

Цена от:

от 9,88₽

MMBT5088LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.05 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

50 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

300

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

50 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

27 000 шт

Цена от:

от 4,08₽

MMBT5089LT1G Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 0.05 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

25 В

Ток коллектора Макс.:

50 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

400

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

50 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

45 000 шт

Цена от:

от 2,43₽

MMBT5401LT3G TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -150V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-150V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:50hFE; Transi

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

80 000 шт

Цена от:

от 1,42₽

MMBT5551LT3G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

160 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

225 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

40 000 шт

Аналоги:

753 112 шт

Цена от:

от 2,66₽

MMBT5551M3T5G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.06 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-723

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

160 В

Ток коллектора Макс.:

60 мА

Мощность Макс.:

265 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

40 000 шт

Цена от:

от 3,00₽

MMBT6429LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

225 мВт

Коэффициент усиления hFE:

500

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

700 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

42 000 шт

Цена от:

от 2,66₽

MMBT8099LT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

225 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

150 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

24 000 шт

Цена от:

от 4,51₽

MMBTA05LT3G TRANS, NPN, 60V, 0.5A, 150°C, 0.225W;

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

20 000 шт

Цена от:

от 5,77₽

MMBTA06LT3G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

225 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

50 000 шт

Аналоги:

250 612 шт

Цена от:

от 2,28₽

MMBTA06WT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70-3 (SOT323)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

150 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

24 000 шт

Цена от:

от 4,63₽

MMBTA13LT3G Darlington transistor SS DL XSTR NPN 30V

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

20 000 шт

Цена от:

от 7,58₽

MMBTA14LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

300 мА

Мощность Макс.:

225 мВт

Коэффициент усиления hFE:

20000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

125 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

39 000 шт

Цена от:

от 2,88₽

MMBTA28 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

800 мА

Мощность Макс.:

350 мВт

Коэффициент усиления hFE:

10000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

125 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

6 000 шт

Аналоги:

579 шт

Цена от:

от 20,63₽

MMBTA42LT3G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

10 000 шт

Аналоги:

291 594 шт

Цена от:

от 11,06₽

MMBTA55LT1G BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V SOT-23; TRA; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:100h

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

39 000 шт

Цена от:

от 2,76₽

MMBTA56LT3G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

225 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

50 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

60 000 шт

Аналоги:

266 394 шт

Цена от:

от 1,79₽

MMBTA63LT1G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

225 мВт

Коэффициент усиления hFE:

10000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

125 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

30 000 шт

Цена от:

от 3,47₽