Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

NSS20201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

20 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

150 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

9 000 шт

Цена от:

от 11,84₽

NSS20501UW3T2G TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 20V, 5A, WDFN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:180hFE; T

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 55,32₽

NSS20601CF8T1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ChipFET[тм]

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

20 В

Ток коллектора Макс.:

6 А

Мощность Макс.:

830 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

140 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 144 шт

Цена от:

от 11,67₽

NSS40200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

220

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

9 000 шт

Цена от:

от 13,17₽

NSS40201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

150 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

12 000 шт

Цена от:

от 8,95₽

NSS40300DDR2G 653mW PNP 3A 40V SOIC-8 Single Bipolar Transistors RoHS

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 86,91₽

NSS40300MZ4T1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

175

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

160 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

4 000 шт

Цена от:

от 29,15₽

Акция

NSS40301MZ4T1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А, 2Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

215 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

4 000 шт

Цена от:

от 27,56₽

NSS60201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А, 0.54W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

150

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

80 шт

Цена от:

от 16,80₽

NSS60600MZ4T1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

6 А

Мощность Макс.:

800 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 21,18₽

NSV1C200LT1G Биполярный транзистор PNP 100В 2A SOT23-3

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

490 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120 @ 500mA, 2V

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

120 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 56,16₽

NSV1C201LT1G Биполярный транзистор NPN 100В 2A SOT23-3

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

490 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120 @ 500mA, 2V

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

110 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

6 000 шт

Цена от:

от 20,66₽

NSV1C201MZ4T1G Bipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRAN

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 23,43₽

NSV1C301ET4G Биполярный транзистор NPN 100В 3A 3DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

6 А

Мощность Макс.:

2.1 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 78,49₽

NSV2SA2029M3T5G PNP BIPOLAR TRANSISTOR;

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

8 000 шт

Цена от:

от 31,54₽

NSV40200LT1G TRANSISTOR PNP 40V 2A LOW VCE(SAT) SOT23

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

15 000 шт

Цена от:

от 7,29₽

NSV40201LT1G TRANS, NPN, 40V, 2A, 150°C, 0.46W;

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

15 000 шт

Цена от:

от 7,86₽

NSV60600MZ4T3G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

6 А

Мощность Макс.:

800 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

8 000 шт

Цена от:

от 24,79₽

NSVBC817-40WT1G Транзистор общего применения биполярный NPN 45В 0.5A 460мВт 3-Pin SC-70 лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

0.46 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

18 000 шт

Цена от:

от 6,04₽

NSVBC846BM3T5G TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 65V, SOT-723; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:265mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200hFE

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

16 000 шт

Цена от:

от 6,76₽