Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
-6% Акция
BC849BLT1G BC849BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
2 571 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
763 шт
Цена от:
от 0,78
-6% Акция
BC849CLT1G BC849CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
8 216 шт

Внешние склады:
78 000 шт
Аналоги:
44 626 шт
Цена от:
от 0,86
BC850BLT1G BC850BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
116 шт

Внешние склады:
39 000 шт
Аналоги:
12 000 шт
Цена от:
от 2,39
BC850CLT1G BC850CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
7 307 шт

Внешние склады:
66 000 шт
Аналоги:
65 682 шт
Цена от:
от 1,53
BC856ALT1G BC856ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
125
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
19 960 шт

Внешние склады:
72 000 шт
Аналоги:
106 408 шт
Цена от:
от 1,45
BC856BLT1G BC856BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
86 913 шт

Внешние склады:
61 600 шт
Аналоги:
444 293 шт
Цена от:
от 1,12
-6% Акция
BC856BWT1G BC856BWT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.15Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Наличие:
4 033 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
725 064 шт
Цена от:
от 1,65
-6% Акция
BC856BWT1G BC856BWT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.15Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
72 083 шт

Внешние склады:
83 980 шт
Аналоги:
573 034 шт
Цена от:
от 1,64
Акция
BC857ALT1G BC857ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
125
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
192 шт

Внешние склады:
63 000 шт
Аналоги:
232 447 шт
Цена от:
от 1,71
BC857BLT1G BC857BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 824 шт

Внешние склады:
69 205 шт
Аналоги:
894 505 шт
Цена от:
от 1,67
-6% Акция
BC857BTT1G BC857BTT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.2 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
5 838 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 0,76
BC857CLT1G BC857CLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
60 949 шт

Внешние склады:
39 000 шт
Аналоги:
888 740 шт
Цена от:
от 1,86
-6% Акция
BC857CWT1G BC857CWT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.15 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
14 936 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
162 692 шт
Цена от:
от 3,38
Акция
BC858ALT1G BC858ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
125
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
4 910 шт

Внешние склады:
39 000 шт
Аналоги:
156 000 шт
Цена от:
от 1,96
Акция
BC858BLT1G BC858BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
8 855 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
229 417 шт
Цена от:
от 1,95
BC858CLT1G BC858CLT1G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
11 885 шт

Внешние склады:
54 000 шт
Аналоги:
97 767 шт
Цена от:
от 1,90
Акция
BCP53-10T1G BCP53-10T1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А, 1.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
63
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
1 781 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 9,39
BCP53-16T1G BCP53-16T1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А, 1.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
3 757 шт

Внешние склады:
6 400 шт
Аналоги:
211 706 шт
Цена от:
от 11,69
BCP53T1G BCP53T1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А, 1.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
2 376 шт

Внешние склады:
7 000 шт
Аналоги:
2 061 шт
Цена от:
от 12,20
-6% Акция
BCP56-10T1G BCP56-10T1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
63
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
130 МГц
Наличие:
1 254 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
58 215 шт
Цена от:
от 6,15
На странице: