Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
6 284 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Аналоги:
309 002 шт
Цена от:
от 1,64
-5% Акция
MPSA05G MPSA05G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
6 215 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,55
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.5 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
6 199 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,99
BC850BLT1G BC850BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
6 066 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 200 шт
Цена от:
от 4,55
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.6 А, 0,225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
140 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
6 037 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,64
-5% Акция
MSB92WT1G MSB92WT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
6 000 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,78
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.2 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
700 МГц
Наличие:
5 898 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,60
-5% Акция
BC857BTT1G BC857BTT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.2 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
5 838 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 0,74
-5% Акция
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
5 721 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
59 214 шт
Цена от:
от 1,28
BC850CLT1G BC850CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
5 403 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
35 673 шт
Цена от:
от 1,48
BC547CTA BC547CTA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-92_formed_leads
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
5 225 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
93 870 шт
Цена от:
от 7,26
BC807-25LT1G BC807-25LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
5 194 шт

Внешние склады:
20 643 шт
Аналоги:
341 227 шт
Цена от:
от 1,35
SS8050CBU SS8050CBU Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.5 А, 1Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
5 152 шт

Внешние склады:
90 шт
Цена от:
от 15,06
BC858CLT1G BC858CLT1G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
4 903 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 882 шт
Цена от:
от 1,89
2N4401TA 2N4401TA Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.63 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-92_formed_leads
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
4 816 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
500 шт
Цена от:
от 7,72
Акция
BC858ALT1G BC858ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
125
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
4 685 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,89
BC817-25LT1G BC817-25LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
4 640 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Аналоги:
67 569 шт
Цена от:
от 3,17
BC857BLT1G BC857BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
4 636 шт

Внешние склады:
5 410 шт
Аналоги:
558 616 шт
Цена от:
от 2,32
-5% Акция
BCW32LT1G BCW32LT1G Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
32 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
4 613 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 0,93
-5% Акция
PZT651T1G PZT651T1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А, 0.8Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
75
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
Наличие:
4 134 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 18,67
На странице: