Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

SMT(19)
Surface Mount(80)
Through Hole(26)
THT(1)
Сквозной(740)
Поверхностный(1300)
На корпус(5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1111)

Акция

2N5401G Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N5401YBU Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160V Ток коллектора Макс.: 0.6 A Мощность Макс.: 625mW Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

Акция

2N5551-Y Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0.6 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 625mW Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

Новинка

2N5551-YBU Транзистор биполярный NPN 160В 0.6А 625мВт 3-Pin TO-92 россыпь Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3

Сообщить о поступлении

Акция 2N5551-YBU Биполярный транзистор Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92

Сообщить о поступлении

2N5551BU Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N5551G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N5551TA Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0,625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N5657G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 20W Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N5684G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 50A Мощность Макс.: 300W Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N5883G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 25 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 25A Мощность Макс.: 200W Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N5884G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 25 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 25A Мощность Макс.: 200W Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N5885G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 25 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 25A Мощность Макс.: 200W Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N5886G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 25 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 25A Мощность Макс.: 200W Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6035G Транзистор биполярный PNP Дарлингтона 60В 4A TO-225AA Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 40W Коэффициент усиления hFE: 750 @ 2A, 3V Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

2N6036G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 40W Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6038G Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 60В 4A TO225AA Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 40W Коэффициент усиления hFE: 750 @ 2A, 3V Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

2N6039G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А, 40W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 40W Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6040G Транзистор биполярный PNP Дарлингтона 60В 8A TO220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 8A Мощность Макс.: 75W Коэффициент усиления hFE: 1000 @ 4A, 4V Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

2N6043G Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 60В 8A TO220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 8A Мощность Макс.: 75W Коэффициент усиления hFE: 1000 @ 4A, 4V Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении