Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
SBC857BLT1G SBC857BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 13,82
SBC857CLT1G SBC857CLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 14,72
SBCP53-10T1G SBCP53-10T1G Биполярный транзистор PNP 80В 1.5A SOT-223
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
63 @ 150mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 11,47
SBCP53-16T1G SBCP53-16T1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 19,19
SBCP53T1G SBCP53T1G Bipolar transistors - BJT SS GP XSTR PNP 80V
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
8 000 шт
Цена от:
от 13,26
SBCP56-16T3G SBCP56-16T3G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
130 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
8 000 шт
Аналоги:
409 246 шт
Цена от:
от 17,88
SBCP56T1G SBCP56T1G Биполярный транзистор NPN 80В 1A SOT-223
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40 @ 150mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
130 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Цена от:
от 12,21
SBCP68T1G SBCP68T1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
20 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
85
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 67,74
SBCW72LT1G SBCW72LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 10,06
SBCX19LT1G SBCX19LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 28,12
SBF720T1G SBF720T1G NPN BIPOLAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 21,79
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 150mA, 10V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
33 000 шт
Цена от:
от 3,22
SMMBT2222AWT1G SMMBT2222AWT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 24,08
SMMBT2907ALT1G SMMBT2907ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
30 000 шт
Аналоги:
1 159 709 шт
Цена от:
от 3,59
SMMBT2907ALT3G SMMBT2907ALT3G Биполярный транзистор PNP 60В 0.6A SOT-23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
30 000 шт
Аналоги:
1 159 709 шт
Цена от:
от 4,37
SMMBT3904LT1G SMMBT3904LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
69 800 шт
Аналоги:
2 614 033 шт
Цена от:
от 1,55
SMMBT3904LT3G SMMBT3904LT3G Биполярный транзистор NPN 40В 0.2A SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
60 000 шт
Аналоги:
2 623 833 шт
Цена от:
от 1,93
SMMBT3904WT1G SMMBT3904WT1G Bipolar transistors - BJT SS GP XSTR NPN 40V
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 7,06
SMMBT3906LT3G SMMBT3906LT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 000 шт
Аналоги:
3 132 шт
Цена от:
от 2,31
SMMBT3906WT1G SMMBT3906WT1G TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -40V, SOT-323; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:30h
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
21 000 шт
Цена от:
от 5,00
На странице: