Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
SMMBT4401LT1G SMMBT4401LT1G Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
18 000 шт
Цена от:
от 6,19
SMMBT4403LT1G SMMBT4403LT1G TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -40V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:20hF
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
36 000 шт
Цена от:
от 3,02
SMMBT5401LT1G SMMBT5401LT1G Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
150 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
33 000 шт
Цена от:
от 4,37
SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Коэффициент усиления hFE:
80
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
42 000 шт
Цена от:
от 2,56
SMMBT5551LT3G SMMBT5551LT3G HIGH VOLTAGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Цена от:
от 20,76
SMMBTA06LT3G SMMBTA06LT3G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Коэффициент усиления hFE:
100
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Аналоги:
280 612 шт
Цена от:
от 7,84
SMMBTA42LT1G SMMBTA42LT1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Аналоги:
20 000 шт
Цена от:
от 9,48
SMMBTA42LT3G SMMBTA42LT3G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Аналоги:
12 000 шт
Цена от:
от 8,75
SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Коэффициент усиления hFE:
100
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
37 000 шт
Аналоги:
143 223 шт
Цена от:
от 3,08
SMMBTA56LT3G SMMBTA56LT3G Биполярный транзистор PNP 80В 0.5A SOT-23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Аналоги:
160 223 шт
Цена от:
от 6,68
SMMBTA92LT3G SMMBTA92LT3G Биполярный транзистор PNP 300В 0.5A SOT-23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Цена от:
от 22,78
SNSS30201MR6T1G SNSS30201MR6T1G Биполярный транзистор NPN 30В 2A TSOP-6
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TSOP-6
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 12,12
SPZT2907AT1G SPZT2907AT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 37,09
SS8050DTA SS8050DTA Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
14 000 шт
Цена от:
от 7,82
SS8550DBU SS8550DBU Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 1.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
17 000 шт
Аналоги:
12 000 шт
Цена от:
от 6,38
SS8550DTA SS8550DTA Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 1.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Аналоги:
17 000 шт
Цена от:
от 8,91
TIP120TU TIP120TU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
400 шт
Аналоги:
4 821 шт
Цена от:
от 28,48
TIP127G TIP127G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Аналоги:
8 802 шт
Цена от:
от 51,62
TIP141G TIP141G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
125 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 шт
Цена от:
от 1 830,57
TIP142G TIP142G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
125 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
750 шт
Аналоги:
4 285 шт
Цена от:
от 142,05
На странице: