Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

2N5551YTA Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-92

Сообщить о поступлении

2N5657G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Сообщить о поступлении

2N5684G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 50 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Сообщить о поступлении

2N5883G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 25 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Сообщить о поступлении

2N5885G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 25 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Сообщить о поступлении

2N5886G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 25 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Сообщить о поступлении

2N6035G Транзистор биполярный PNP Дарлингтона 60В 4A TO-225AA

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

PNP - Darlington

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750 @ 2A, 3V

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6036G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6038G Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 60В 4A TO225AA

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

NPN - Darlington

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750 @ 2A, 3V

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

Акция

2N6039G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А, 40W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6040G Транзистор биполярный PNP Дарлингтона 60В 8A TO220AB

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP - Darlington

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000 @ 4A, 4V

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6043G Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 60В 8A TO220AB

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN - Darlington

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000 @ 4A, 4V

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6045G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 75Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6052G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 12 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

12 А

Мощность Макс.:

150 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6107G Биполярный транзистор, PNP, 70 В, 7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

70 В

Ток коллектора Макс.:

7 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

10 МГц

Сообщить о поступлении

2N6109G Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Ток коллектора Макс.:

7 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

10 МГц

Сообщить о поступлении

2N6111G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

7 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

10 МГц

Сообщить о поступлении

2N6287G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 20 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

20 А

Мощность Макс.:

160 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6341G Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 25 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

150 В

Ток коллектора Макс.:

25 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

40 МГц

Сообщить о поступлении

2N6387G Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 60В 10A TO220AB

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN - Darlington

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000 @ 5A, 3V

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении