Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
2N6490G 2N6490G Транзистор биполярный PNP 60В 15A TO-220AB
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
1.8 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20 @ 5A, 4V
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
5 МГц
2N6517BU 2N6517BU Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А, 0.63 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
200 МГц
2N6517TA 2N6517TA Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А, 0.6 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
0.5 А
Мощность Макс.:
0.6 Вт
2SA1020RLRAG 2SA1020RLRAG Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
900 мВт
Коэффициент усиления hFE:
70
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
100 МГц
2SA1552S-TL-E 2SA1552S-TL-E Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 1.5 А, 1 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
2SA1774G 2SA1774G Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
2SA1774T1G 2SA1774T1G Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
2SA1962OTU 2SA1962OTU Транзистор биполярный PNP 250В 17A TO-3P
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
250 В
Ток коллектора Макс.:
17 А
Мощность Макс.:
130 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80 @ 1A, 5V
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
2SA1962RTU 2SA1962RTU Транзистор биполярный PNP 250В 17A TO-3P
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
250 В
Ток коллектора Макс.:
17 А
Мощность Макс.:
130 Вт
Коэффициент усиления hFE:
55 @ 1A, 5V
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-E Биполярный транзистор PNP 50В 5A TP-FA
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TP-FA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
360 МГц
2SA2153-TD-E 2SA2153-TD-E Биполярный транзистор PNP 50В 2A SOT89-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
PCP
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
420 МГц
2SA2205-TL-E 2SA2205-TL-E Транзистор биполярный PNP 100В 2A TP-FA
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TP-FA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200 @ 100mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
2SB1123S-TD-E 2SB1123S-TD-E Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
PCP
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
2SB1202T-TL-E 2SB1202T-TL-E Транзистор биполярный PNP 50В 3A TP-FA
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
2-TP-FA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200 @ 100mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
2SB1204S-TL-E 2SB1204S-TL-E Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
2-TP-FA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Транзистор биполярный NPN 100В 1A SOT89-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
PCP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 100mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
2SC3648T-TD-E 2SC3648T-TD-E Транзистор биполярный NPN 160В 0.7A SOT89-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
PCP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
700 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 100mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
2SC3789E Транзистор биполярный NPN 300В 0.1A 1500мВт 3-Pin TO-126ML
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126ML
2SC3953 C 2SC3953 C Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 0.2 А, 8 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
2SC4027T-H 2SC4027T-H Транзистор биполярный NPN 160В 1.5A TP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200 @ 100mA, 5V
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
120 МГц
На странице: