Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
BC547B BC547B Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
159 798 шт
Цена от:
от 1,36
BC547BG BC547BG Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
159 798 шт
Цена от:
от 1,36
Акция
BC547CG BC547CG Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
266 211 шт
Цена от:
от 1,29
BC548BTA BC548BTA Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
300 МГц
-6% Акция
BC548CG BC548CG Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
25 588 шт
Цена от:
от 3,95
BC549CG BC549CG Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
24 670 шт
Цена от:
от 2,22
BC550CG BC550CG Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
31 198 шт
Цена от:
от 6,80
BC556ABU BC556ABU Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
110
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
150 МГц
BC556ATA BC556ATA Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
110
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
150 МГц
BC556BG BC556BG Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
180
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
280 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
108 501 шт
Цена от:
от 1,14
BC556BTFR BC556BTFR Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
150 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
108 501 шт
Цена от:
от 1,14
BC557ATA BC557ATA Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
110
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
150 МГц
BC557BZL1G BC557BZL1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
180
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
320 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
112 121 шт
Цена от:
от 1,71
BC557CG BC557CG Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 786 шт
Цена от:
от 2,17
BC558BTA BC558BTA Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
150 МГц
Акция
BC560CG BC560CG Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
380
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
250 МГц
Акция
BC560CTA BC560CTA Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Акция
BC635 BC635 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1 А, 15Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
100 МГц
BC636TA BC636TA Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
100 МГц
Акция
BC637G BC637G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
200 МГц
На странице: