Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
KSP92TA KSP92TA Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.625 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
0.5 А
Мощность Макс.:
0.625 Вт
Наличие:
4 058 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
200 шт
Цена от:
от 8,14
Акция
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А, 0,2 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
4 041 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,91
Акция
BC856BWT1G BC856BWT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.15Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Наличие:
4 033 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
538 388 шт
Цена от:
от 1,60
PZTA92T1G PZTA92T1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.05 А, 1.5W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
3 831 шт

Внешние склады:
4 581 шт
Цена от:
от 14,32
BC807-40LT1G BC807-40LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 810 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Аналоги:
505 611 шт
Цена от:
от 2,22
BC847BTT1G BC847BTT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.2 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 799 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,06
Акция
MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
Наличие:
3 621 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,36
KSP42TA KSP42TA Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.625 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
0.5 А
Мощность Макс.:
0.625 Вт
Наличие:
3 618 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,81
BC848ALT1G BC848ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
110
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 575 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,97
BCW72LT1G BCW72LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
3 543 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
12 631 шт
Цена от:
от 3,53
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 1 А, 0.31 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
310 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 348 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 8,20
Акция
BC807-25WT1G BC807-25WT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.46 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
460 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 340 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
11 815 шт
Цена от:
от 3,23
KSP2907ATA KSP2907ATA Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, 0.625Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
3 295 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7,40
KSP2222ABU KSP2222ABU Биполярный транзистор, NPN, 75 В, 0.8 А, 0.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
3 160 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7,30
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
85 МГц
Наличие:
3 062 шт

Внешние склады:
200 шт
Аналоги:
11 101 шт
Цена от:
от 29,87
SMMBT3906LT1G SMMBT3906LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
3 042 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,27
KSP94TA KSP94TA Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 0.3 А, 0.625 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
400 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
2 876 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 10,55
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.05 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
40 МГц
Наличие:
2 872 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,93
Акция
PZT2907AT1G PZT2907AT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, 1.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
2 827 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7,69
Акция
SBC846BWT1G SBC846BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
2 820 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
735 720 шт
Цена от:
от 2,74
На странице: