Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
BD678G BD678G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 314 шт
Цена от:
от 23,75
BD679AG BD679AG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 709 шт
Цена от:
от 8,18
BD679ASTU BD679ASTU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 709 шт
Цена от:
от 8,18
BD679G BD679G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 709 шт
Цена от:
от 8,18
BD680AG BD680AG Транзистор биполярный PNP Дарлингтона 80В 4A TO225
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
PNP - Darlington
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750 @ 2A, 3V
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
18 270 шт
Цена от:
от 11,71
Акция
BD680AS BD680AS Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Наличие:
0 шт.

Внешние склады:
0 шт.
Аналоги:
18 270 шт.
Цена от:
от 15,33
BD680G BD680G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
18 270 шт
Цена от:
от 11,71
BD681G BD681G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
15 165 шт
Цена от:
от 10,02
BD681S BD681S Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Наличие:
0 шт.

Внешние склады:
0 шт.
Аналоги:
15 165 шт.
Цена от:
от 10,02
BD681STU BD681STU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
15 165 шт
Цена от:
от 10,02
BD682G BD682G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
908 шт
Цена от:
от 35,34
BD682S BD682S Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Наличие:
0 шт.

Внешние склады:
0 шт.
Аналоги:
908 шт.
Цена от:
от 19,27
BD787G BD787G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
15 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
BD788G BD788G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
15 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
BD809G BD809G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
90 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
1.5 МГц
BD810G BD810G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
90 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
1.5 МГц
BDV64BG BDV64BG Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 125W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
125 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Акция
BDV65BG BDV65BG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 125 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
125 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
BDW42G BDW42G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
85 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
BDW46G BDW46G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
85 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
На странице: