Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
BSR17A BSR17A Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
BSR18A BSR18A Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
BSV52 BSV52 Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
BSV52LT1G BSV52LT1G Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
12 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
400 МГц
BU323ZG BU323ZG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 350 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
500
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
2 МГц
Акция
BU407 BU407 Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
BUB323ZG BUB323ZG Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 350В 10A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
NPN - Darlington
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
500 @ 5A, 4.6V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
2 МГц
Акция
BUL45D2G BUL45D2G Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
400 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
13 МГц
BUT11A BUT11A Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 5 А, 100 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
6 782 шт
Цена от:
от 29,96
BUV26G BUV26G Биполярный транзистор, NPN, 90 В, 20 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
BUV27G BUV27G Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 12 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
CPH3216-TL-E CPH3216-TL-E Биполярный транзистор NPN 50В 1A CPH3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-CPH
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
900 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200 @ 100mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
420 МГц
CPH3462-TL-W CPH3462-TL-W МОП-транзистор NCH 1A 100В 500MOHмс CPH3
Производитель:
ON Semiconductor
CPH6003A-TL-E CPH6003A-TL-E TRANSISTOR, RF, NPN, 12V, 0.15A, SOT-457; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:7GHz; Power Dissipation Pd:800mW; DC Collector Current:150mA; DC Current Gain hFE:100hFE;
Производитель:
ON Semiconductor
CPH6123-TL-E CPH6123-TL-E BIPOLAR TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
D44H11TU D44H11TU Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
D44H8 D44H8 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Наличие:
0 шт.

Внешние склады:
0 шт.
Аналоги:
1 550 шт.
Цена от:
от 43,62
D45H11 D45H11 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Наличие:
0 шт.

Внешние склады:
0 шт.
Аналоги:
18 533 шт.
Цена от:
от 34,40
D45H8 D45H8 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
D45H8G D45H8G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
40 МГц
На странице: