Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1111)
PZT3904 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
PZT3904T1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 1.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 1.5W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
PZT3906 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223-4
PZT651T1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А, 0.8Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 800mW Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Поверхностный
PZT751T1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А, 0.8 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 800mW Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Поверхностный
PZTA06 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
PZTA14 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 1.2A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный
PZTA28 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 800mA Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный
PZTA42 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 1 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
757 шт.
Цена от:
от 6,06
PZTA42T1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 1.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 1.5W Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
757 шт
Цена от:
от 8,90
PZTA56 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
PZTA64 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 1.2A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный
PZTA92 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
PZTA92T1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.05 А, 1.5W Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 50mA Мощность Макс.: 1.5W Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный
PZTA96ST1G Биполярный транзистор, PNP, 450 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 450V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 1.5W Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный
S2SC4617G Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 125mW Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный
SBC807-16LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
SBC807-16LT3G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
SBC807-25LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный
SBC807-25LT3G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный
На странице: