Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

KST43MTF Биполярный транзистор, NPN, 200 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Сообщить о поступлении

MBT35200MT1G Биполярный транзистор, PNP, 35 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

35 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

625 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

MJ11033G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 50 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

120 В

Ток коллектора Макс.:

50 А

Мощность Макс.:

300 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

MJ15016G Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 15 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

120 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

115 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

18 МГц

Сообщить о поступлении

MJ2955G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 15 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

115 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

2.5 МГц

Сообщить о поступлении

MJB42CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

6 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

3 МГц

Сообщить о поступлении

MJB44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

50 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 064 шт

Цена от:

от 90,76₽

MJB45H11G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

40 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 506 шт

Цена от:

от 45,67₽

MJD122TF Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

76 935 шт

Цена от:

от 26,52₽

MJD127TF Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

11 200 шт.

Цена от:

от 21,50₽

MJD200G Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

25 В

Ток коллектора Макс.:

5 А

Мощность Макс.:

1.4 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

65 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 500 шт

Цена от:

от 42,79₽

MJD210T4G Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

25 В

Ток коллектора Макс.:

5 А

Мощность Макс.:

1.4 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

65 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 250 шт

Цена от:

от 22,06₽

MJD210TF Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

8 250 шт.

Цена от:

от 21,54₽

MJD253-1G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

1.4 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

40 МГц

Сообщить о поступлении

MJD3055TF

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

Акция

MJD31C1G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 15W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Сообщить о поступлении

MJD31CTF Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

53 322 шт.

Цена от:

от 11,61₽

MJD32CG TRANSISTOR, PNP, D-PAK; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

MJD32CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

13 024 шт.

Цена от:

от 21,13₽

MJD32CTF Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

13 024 шт.

Цена от:

от 21,13₽