Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

NSS1C201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

490 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

110 МГц

Сообщить о поступлении

NSS1C201MZ4T1G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

800 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS1C201MZ4T3G BIPOLAR TRANSISTOR;

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NSS1C300ET4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Сообщить о поступлении

NSS1C301ET4G Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 120MHz 2.1W Surface Mount TO-252(DPAK)

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NSS20200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

20 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

250

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS20201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

20 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

150 МГц

Сообщить о поступлении

NSS20501UW3T2G TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 20V, 5A, WDFN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:180hFE; T

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NSS30071MR6T1G Биполярный транзистор NPN 30В 0.7A SC74-6

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-74

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

700 мА

Мощность Макс.:

342 мВт

Коэффициент усиления hFE:

150

Тип монтажа:

Поверхностный

Сообщить о поступлении

NSS30101LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

310 мВт

Коэффициент усиления hFE:

300

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS35200MR6T1G Биполярный транзистор, PNP, 35 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

35 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

625 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

220

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

150 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40300DDR2G 653mW PNP 3A 40V SOIC-8 Single Bipolar Transistors RoHS

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NSS40300MZ4T1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

175

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

160 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40300MZ4T3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Сообщить о поступлении

Акция

NSS40301MZ4T1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А, 2Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

215 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40301MZ4T3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

215 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40501UW3T2G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-WDFN (2x2)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

5 А

Мощность Макс.:

875 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

150 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40601CF8T1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ChipFET[тм]

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

6 А

Мощность Макс.:

830 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

140 МГц

Сообщить о поступлении