Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

MJD340G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

300 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

16 967 шт

Цена от:

от 12,19₽

MJD340TF Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

300 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

16 967 шт

Цена от:

от 18,85₽

MJD350TF TRANS PNP 300V 0.5A DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

MJD41CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

6 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

3 МГц

Сообщить о поступлении

MJD44H11TM Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

72 922 шт.

Цена от:

от 16,80₽

MJD45H11TF Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

58 795 шт.

Цена от:

от 27,78₽

MJD45H11TM Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

58 795 шт.

Цена от:

от 27,78₽

MJD47TF Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

6 047 шт.

Цена от:

от 32,37₽

MJD50G Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

400 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

10 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 900 шт

Цена от:

от 16,42₽

MJD50TF Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

400 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

10 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 900 шт

Цена от:

от 30,55₽

MJD5731T4G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

350 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

10 МГц

Сообщить о поступлении

MJE13001 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.2 А, 0.75 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-92

Сообщить о поступлении

MJE13009G Транзистор биполярный NPN 400В 12А 100Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 559 шт

Цена от:

от 21,22₽

MJE15029G Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 8 А, 50W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

120 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

50 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Сообщить о поступлении

MJE18008G Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

450 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

125 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

13 МГц

Сообщить о поступлении

MJE200G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

5 А

Мощность Макс.:

15 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

65 МГц

Сообщить о поступлении

MJE200STU Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-126

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

25 В

Ток коллектора Макс.:

5 А

Мощность Макс.:

15 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

65 МГц

Сообщить о поступлении

MJE210G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-126

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

5 А

Мощность Макс.:

15 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

65 МГц

Сообщить о поступлении

MJE2955TG Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

2 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 904 шт

Цена от:

от 31,20₽

MJE2955TTU Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

600 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

2 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 904 шт

Цена от:

от 31,20₽