Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
NSS60100DMTTBG
Производитель:
ON Semiconductor
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А, 0.54Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
460 мВт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
NSS60201LT1G NSS60201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А, 0.54W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
460 мВт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
NSS60600MZ4T1G NSS60600MZ4T1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
6 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
NST846BF3T5G NST846BF3T5G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-1123
NSV1C200LT1G NSV1C200LT1G Биполярный транзистор PNP 100В 2A SOT23-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
490 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120 @ 500mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
NSV1C201LT1G NSV1C201LT1G Биполярный транзистор NPN 100В 2A SOT23-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
490 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120 @ 500mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
110 МГц
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G Bipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRAN
Производитель:
ON Semiconductor
NSV1C301ET4G NSV1C301ET4G Биполярный транзистор NPN 100В 3A 3DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
6 А
Мощность Макс.:
2.1 Вт
NSV2SA2029M3T5G NSV2SA2029M3T5G PNP BIPOLAR TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
NSV40200LT1G NSV40200LT1G TRANSISTOR PNP 40V 2A LOW VCE(SAT) SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
NSV40201LT1G NSV40201LT1G TRANS, NPN, 40V, 2A, 150°C, 0.46W;
Производитель:
ON Semiconductor
NSV40301MZ4T1G NSV40301MZ4T1G Биполярный транзистор NPN 40В 3A SOT223-4
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
215 МГц
NSV60101DMTWTBG NSV60101DMTWTBG
Производитель:
ON Semiconductor
NSV60600MZ4T3G NSV60600MZ4T3G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
6 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
NSV60601MZ4T1G NSV60601MZ4T1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
NSV60601MZ4T3G NSV60601MZ4T3G Биполярный транзистор, NPN, 60В, 6А SOT223-4
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT223-4
NSVBC817-16LT1G NSVBC817-16LT1G Биполярный транзистор NPN 45В 0.5A. 150° C 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
0.3 Вт
NSVBC817-40WT1G NSVBC817-40WT1G Транзистор общего применения биполярный NPN 45В 0.5A 460мВт 3-Pin SC-70 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
0.46 Вт
NSVBC846BM3T5G NSVBC846BM3T5G TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 65V, SOT-723; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:265mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200hFE
Производитель:
ON Semiconductor
На странице: