Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

MJE3055TG Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

2 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 421 шт

Цена от:

от 38,04₽

MJE340STU Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-126

Сообщить о поступлении

MJE371G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE4343G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 16 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

160 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

125 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

1 МГц

Сообщить о поступлении

MJE5731G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

350 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

10 МГц

Сообщить о поступлении

MJE5850G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

300 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

80 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE700G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE703G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE800G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE802G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE803G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

MJF18008G Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

450 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

45 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

13 МГц

Сообщить о поступлении

MJF2955G Биполярный транзистор, PNP, 90 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

90 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

2 МГц

Сообщить о поступлении

MJF32CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

3 МГц

Сообщить о поступлении

MJF44H11G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

50 МГц

Сообщить о поступлении

MJF6388G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

3000

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

MJH11017G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 150 В, 15 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

150 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

150 Вт

Коэффициент усиления hFE:

400

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

3 МГц

Сообщить о поступлении

MJH6287G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 20 А, 160W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

20 А

Мощность Макс.:

160 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Сообщить о поступлении

MJL21195G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 200 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-264

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Сообщить о поступлении

MJL21196G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-264

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Сообщить о поступлении