Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

THT(1)
Сквозной(740)
Поверхностный(1300)
На корпус(5)
SMT(19)
Surface Mount(80)
Through Hole(26)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1111)

SMMBT3904LT3G Биполярный транзистор NPN 40В 0.2A SOT23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

609 063 шт

Цена от:

от 0,42₽

SMMBT3904TT1G TRANS NPN 40V 0.2A SOT416 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SMMBT3906LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SMMBT3906LT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SMMBT4401LT1G TRANS NPN 40V 0.6A SOT23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SMMBT5401LT1G Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SMMBT5551LT1G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160V Ток коллектора Макс.: 600mA Коэффициент усиления hFE: 80

Сообщить о поступлении

SMMBTA06LT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.3 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 225mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

14 748 шт

Цена от:

от 1,38₽

SMMBTA06LT3G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 500mA Коэффициент усиления hFE: 100

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

14 748 шт

Цена от:

от 1,38₽

SMMBTA42LT1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 500mA

Сообщить о поступлении

SMMBTA42LT3G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 500mA

Сообщить о поступлении

SMMBTA56LT1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 500mA Коэффициент усиления hFE: 100

Сообщить о поступлении

SMMBTA56LT3G Биполярный транзистор PNP 80В 0.5A SOT-23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 500mA

Сообщить о поступлении

SMMBTA64LT1G TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 500mA

Сообщить о поступлении

SMMBTA92LT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SMMBTA92LT3G TRANS PNP 300V 0.5A SOT-23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SNSS30201MR6T1G TRANS NPN 30V 2A TSOP-6 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 2A

Сообщить о поступлении

SPZT2907AT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 1.5W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SS8050CBU Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.5 А, 1Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25V Ток коллектора Макс.: 1.5A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

SS8050DBU Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25V Ток коллектора Макс.: 1.5A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении