Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
MJW1302AG MJW1302AG Биполярный транзистор, PNP, 230 В, 15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
230 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
MJW18020G MJW18020G Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 30 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
450 В
Ток коллектора Макс.:
30 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
14
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
13 МГц
Акция
MJW21191G MJW21191G Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 8.0 А, 125 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
MMBT100 MMBT100 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
MMBT200 MMBT200 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 254 709 шт
Цена от:
от 0,89
MMBT2222AWT3G MMBT2222AWT3G Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SC70-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 848 шт
Цена от:
от 1,12
MMBT2369A MMBT2369A Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBT2369LT1G MMBT2369LT1G Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
MMBT2484 MMBT2484 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBT2907 MMBT2907 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
MMBT2907A MMBT2907A Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
0 шт.

Внешние склады:
0 шт.
Аналоги:
1 181 859 шт.
Цена от:
от 0,49
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 181 859 шт
Цена от:
от 0,49
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.1A, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:75hFE; Transisto
Производитель:
ON Semiconductor
MMBT3640 MMBT3640 Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
MMBT3904 MMBT3904 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBT3904T MMBT3904T Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT523F
MMBT3906 MMBT3906 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 408 884 шт
Цена от:
от 0,28
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 408 884 шт
Цена от:
от 0,28
MMBT4124 MMBT4124 Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
На странице: