Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 553 791 шт
Цена от:
от 0,51
MMBT4403 MMBT4403 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
685 932 шт
Цена от:
от 0,55
MMBT5087 MMBT5087 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBT5088 MMBT5088 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
27 000 шт
Цена от:
от 4,00
MMBT5089 MMBT5089 Биполярный транзистор, NPN, 25 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
400
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
45 000 шт
Цена от:
от 2,38
MMBT5401 MMBT5401 Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.6 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
150 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
633 943 шт
Цена от:
от 0,69
MMBT5550 MMBT5550 Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Акция
MMBT5551 MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
623 337 шт
Цена от:
от 0,51
MMBT5962 MMBT5962 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
600
Тип монтажа:
Поверхностный
MMBT6427 MMBT6427 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 40 В, 1.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBT6517LT1G MMBT6517LT1G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
MMBTA06 MMBTA06 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBTA13 MMBTA13 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBTA14 MMBTA14 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBTA42 MMBTA42 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
0 шт.

Внешние склады:
0 шт.
Аналоги:
301 604 шт.
Цена от:
от 1,00
Акция
MMBTA56 MMBTA56 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
443 404 шт
Цена от:
от 1,19
MMBTA64 MMBTA64 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBTA92 MMBTA92 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBTA92LT3G MMBTA92LT3G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
579 814 шт
Цена от:
от 0,96
MMJT350T1G MMJT350T1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
650 мВт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
На странице: