Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

PN3640 Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 0.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

12 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

350 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

500 МГц

Сообщить о поступлении

PZT2222A Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

2 880 шт.

Цена от:

от 9,14₽

PZT2222AT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 880 шт

Цена от:

от 9,14₽

PZT2907A Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

2 827 шт.

Цена от:

от 8,20₽

PZT2907AT3G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

200 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 827 шт

Цена от:

от 8,20₽

PZT3904 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Сообщить о поступлении

PZT3906 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Сообщить о поступлении

PZTA06 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

1 Вт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

PZTA14 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

1.2 А

Мощность Макс.:

1 Вт

Коэффициент усиления hFE:

20000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

125 МГц

Сообщить о поступлении

PZTA28 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

800 мА

Мощность Макс.:

1 Вт

Коэффициент усиления hFE:

10000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

125 МГц

Сообщить о поступлении

PZTA29 NPN DARLINGTON TRANSISTOR;

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

PZTA42 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 1 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

1 171 шт.

Цена от:

от 8,90₽

PZTA56 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

1 Вт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

50 МГц

Сообщить о поступлении

PZTA64 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

1.2 А

Мощность Макс.:

1 Вт

Коэффициент усиления hFE:

20000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

125 МГц

Сообщить о поступлении

PZTA92 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 410 шт

Цена от:

от 17,80₽

PZTA96ST1G Биполярный транзистор, PNP, 450 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

450 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Сообщить о поступлении

S2SC4617G Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

125 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

180 МГц

Сообщить о поступлении

SBC807-16LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

SBC807-25LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

160

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

SBC807-25LT3G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

160

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении