Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

На корпус (5)
Surface Mount (1)
Сквозной (632)
Поверхностный (1171)

Умный фильтр

Показать

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

Акция

MPS2907A Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

0.6 А

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

72 497 шт

Цена от:

от 4,05₽

MPS2907ARLG Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

72 497 шт.

Цена от:

от 4,05₽

MPS751 Биполярный транзистор PNP 60В 2A TO-92

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

625 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

75 МГц

Сообщить о поступлении

MPS751-D26Z

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

MPS751G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Сообщить о поступлении

MPSA06 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Сообщить о поступлении

Акция

MPSA06G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

625 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

MPSA56G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

625 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

50 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MPSA92G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92/formed lead

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

300 В

Ток коллектора Макс.:

0.5 А

Сообщить о поступлении

MPSA92RL1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Сообщить о поступлении

MSB92ASWT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70-3 (SOT323)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

300 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

150 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

50 МГц

Сообщить о поступлении

MSLSBC856BLT1G

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NJD35N04G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 350 В, 4 А, 45 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

350 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

45 Вт

Коэффициент усиления hFE:

2000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

90 МГц

Сообщить о поступлении

NJT4030PT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

160 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 000 шт

Цена от:

от 18,78₽

NJV4031NT3G 3.0 A, 40 V NPN BIPOLAR POWER TRANSISTOR;

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NJVMJD112T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NJVMJD117T4G Биполярный транзистор PNP Дарлингтона 100В 2A DPAK-4

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Сообщить о поступлении

NJVMJD243T4G 4.0 A, 100 V NPN BIPOLAR POWER TRANSISTO;

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NJVMJD31CT4G-VF01 Транзистор общего применения биполярный NPN 100В 5A 1560мВт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NJVMJD32CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

3 МГц

Сообщить о поступлении