Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
SBC807-25WT1G SBC807-25WT1G Bipolar transistors - BJT SS GP XSTR PNP 45V
Производитель:
ON Semiconductor
SBC807-40LT1G SBC807-40LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
511 421 шт
Цена от:
от 0,69
SBC807-40LT3G SBC807-40LT3G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
SBC807-40WT1G SBC807-40WT1G Биполярный транзистор PNP 45В 0.5A SC-70
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
460 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC817-16LT3G SBC817-16LT3G Биполярный транзистор NPN 45В 0.5A SOT-23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC817-25LT3G SBC817-25LT3G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Акция
SBC817-40LT1G SBC817-40LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 293 363 шт
Цена от:
от 0,49
SBC817-40LT3G SBC817-40LT3G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 293 363 шт
Цена от:
от 0,49
SBC846ALT1G SBC846ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
110
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
224 249 шт
Цена от:
от 0,55
SBC846BLT1G SBC846BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
433 001 шт
Цена от:
от 0,34
SBC846BLT3G SBC846BLT3G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
433 001 шт
Цена от:
от 0,34
SBC847BLT1G SBC847BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
843 480 шт
Цена от:
от 0,37
SBC847BPDW1T1G SBC847BPDW1T1G Биполярный транзистор сборка NPN/PNP 45В 0.1A SOT-363
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Биполярный транзистор NPN 45В 0.1A SOT-323
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC847CWT1G SBC847CWT1G Транзистор биполярный NPN 45В 0.1A SOT-323
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420 @ 2mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC848BLT1G SBC848BLT1G Биполярный транзистор NPN 30В 0.1A SOT-23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC856ALT1G SBC856ALT1G TRANS, PNP, 65V, 0.1A, 150°C, 0.3W;
Производитель:
ON Semiconductor
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
SBC856BLT3G SBC856BLT3G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC856BWT1G SBC856BWT1G Биполярный транзистор PNP 65В 0.1A SOT-323
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
На странице: