Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

NJVMJD340T4G Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.5A 300V TR

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NJVMJD42CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

6 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

3 МГц

Сообщить о поступлении

NJVMJD45H11T4G-VF01 Транзистор общего применения биполярный PNP 80В 16A 1750мВт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NJVNJD35N04T4G BIPOLAR ARRAY, DUAL NPN, 700V, 4A, TO252;

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NSL12AWT1G Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

12 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

450 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS12200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Сообщить о поступлении

NSS1C200MZ4T1G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

800 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

120 МГц

Сообщить о поступлении

NSS1C301ET4G Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 120MHz 2.1W Surface Mount TO-252(DPAK)

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NSS20200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

20 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

250

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS30071MR6T1G Биполярный транзистор NPN 30В 0.7A SC74-6

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-74

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

700 мА

Мощность Макс.:

342 мВт

Коэффициент усиления hFE:

150

Тип монтажа:

Поверхностный

Сообщить о поступлении

NSS30101LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

310 мВт

Коэффициент усиления hFE:

300

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS35200MR6T1G Биполярный транзистор, PNP, 35 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

35 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

625 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40300MZ4T3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Сообщить о поступлении

NSS40301MZ4T3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

215 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40501UW3T2G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-WDFN (2x2)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

5 А

Мощность Макс.:

875 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

150 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40601CF8T1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ChipFET[тм]

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

6 А

Мощность Макс.:

830 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

140 МГц

Сообщить о поступлении

NSS60100DMTTBG

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NSS60200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А, 0.54Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

150

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NST846BF3T5G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-1123

Сообщить о поступлении

NSV40301MZ4T1G Биполярный транзистор NPN 40В 3A SOT223-4

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

800 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

215 МГц

Сообщить о поступлении