Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

NSV60101DMTWTBG

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NSV60601MZ4T1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Сообщить о поступлении

NSV60601MZ4T3G Биполярный транзистор, NPN, 60В, 6А SOT223-4

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT223-4

Сообщить о поступлении

NSVBC817-16LT1G Биполярный транзистор NPN 45В 0.5A. 150° C 0.3Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

0.3 Вт

Сообщить о поступлении

NSVBC857BLT3G Транзистор биполярный PNP 45В 0.1A SOT-23

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Сообщить о поступлении

NSVBCP56MTWG TRANSISTOR, NPN, 80V, 1A, WDFNW;

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NSVBCP69T1G Транзистор биполярный PNP 20В 1A SOT223

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

20 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Сообщить о поступлении

NSVF4009SG4T1G RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE AMPLIFIER;

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NSVF4015SG4T1G RF TRANS, AEC-Q101, NPN, 12V, SC-82FL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:10GHz; Power Dissipation Pd:450mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:150hFE; R

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NSVMMBT2222AM3T5G TRANS, NPN, 40V, 0.6A, 150°C, 0.64W; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:640mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:35hFE;

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NZT44H8 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

50 МГц

Сообщить о поступлении

NZT560A Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

1 Вт

Коэффициент усиления hFE:

250

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

75 МГц

Сообщить о поступлении

NZT651 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

1.2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

75 МГц

Сообщить о поступлении

NZT660 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

75 МГц

Сообщить о поступлении

NZT6717 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-3

Сообщить о поступлении

NZT751 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

1.2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

75 МГц

Сообщить о поступлении

NZT753 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

1.2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

75 МГц

Сообщить о поступлении

PN2907ABU Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

800 мА

Мощность Макс.:

625 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

200 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

72 497 шт

Цена от:

от 4,05₽

PN2907ATA Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

800 мА

Мощность Макс.:

625 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

200 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

72 497 шт

Цена от:

от 4,05₽

PN3640 Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 0.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

12 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

350 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

500 МГц

Сообщить о поступлении