Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
SBC857BDW1T1G SBC857BDW1T1G Биполярный транзистор сборка 2 PNP 45В 0.1A SOT-363
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
SBC857BLT1G SBC857BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC857BWT1G SBC857BWT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC857CLT1G SBC857CLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBCP53-10T1G SBCP53-10T1G Биполярный транзистор PNP 80В 1.5A SOT-223
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
63 @ 150mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
SBCP53-16T1G SBCP53-16T1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
SBCP53T1G SBCP53T1G Bipolar transistors - BJT SS GP XSTR PNP 80V
Производитель:
ON Semiconductor
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
63
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
130 МГц
SBCP56-16T3G SBCP56-16T3G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
130 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
309 609 шт
Цена от:
от 1,93
SBCP56T1G SBCP56T1G Биполярный транзистор NPN 80В 1A SOT-223
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40 @ 150mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
130 МГц
SBCP68T1G SBCP68T1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
20 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
85
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
SBCW72LT1G SBCW72LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
SBCX19LT1G SBCX19LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
SBF720T1G SBF720T1G NPN BIPOLAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
SCBCP56-10T1G Биполярный транзистор NPN 80В
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 150mA, 10V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
SMMBT2222ALT3G SMMBT2222ALT3G Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SOT-23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
SMMBT2222AWT1G SMMBT2222AWT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
SMMBT2907ALT1G SMMBT2907ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
777 032 шт
Цена от:
от 0,47
SMMBT2907ALT3G SMMBT2907ALT3G Биполярный транзистор PNP 60В 0.6A SOT-23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
777 032 шт
Цена от:
от 0,47
На странице: