Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
PZT2222A PZT2222A Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Наличие:
0 шт.

Внешние склады:
0 шт.
Аналоги:
11 301 шт.
Цена от:
от 9,49
PZT2222AT3G PZT2222AT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
11 301 шт
Цена от:
от 9,49
PZT2907A PZT2907A Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Наличие:
0 шт.

Внешние склады:
0 шт.
Аналоги:
28 658 шт.
Цена от:
от 8,19
PZT3904 PZT3904 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
PZT3906 PZT3906 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
PZTA14 PZTA14 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
1.2 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
PZTA42 PZTA42 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 1 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Наличие:
0 шт.

Внешние склады:
0 шт.
Аналоги:
10 920 шт.
Цена от:
от 8,90
PZTA64 PZTA64 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
1.2 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
PZTA96ST1G PZTA96ST1G Биполярный транзистор, PNP, 450 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
450 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
S2SC4617G S2SC4617G Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
125 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
180 МГц
SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC807-25LT1G SBC807-25LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC807-25LT3G SBC807-25LT3G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC807-40LT1G SBC807-40LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 719 071 шт
Цена от:
от 0,74
SBC807-40WT1G SBC807-40WT1G Биполярный транзистор PNP 45В 0.5A SC-70
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
460 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC817-16LT3G SBC817-16LT3G Биполярный транзистор NPN 45В 0.5A SOT-23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC817-25LT3G SBC817-25LT3G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Акция
SBC817-40LT1G SBC817-40LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 152 253 шт
Цена от:
от 0,58
SBC846ALT1G SBC846ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
110
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
495 423 шт
Цена от:
от 0,70
SBC846BLT1G SBC846BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 396 250 шт
Цена от:
от 0,39
На странице: