Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
SMMBT3904LT3G SMMBT3904LT3G Биполярный транзистор NPN 40В 0.2A SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
454 128 шт
Цена от:
от 0,36
SMMBT3904TT1G SMMBT3904TT1G Биполярный транзистор NPN 40В 0.2A SOT416
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
SMMBT3904WT1G SMMBT3904WT1G Bipolar transistors - BJT SS GP XSTR NPN 40V
Производитель:
ON Semiconductor
SMMBT3906LT3G SMMBT3906LT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 042 шт
Цена от:
от 6,27
SMMBT3906WT1G SMMBT3906WT1G TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -40V, SOT-323; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:30h
Производитель:
ON Semiconductor
SMMBT4401LT1G SMMBT4401LT1G Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
SMMBT4403LT1G SMMBT4403LT1G TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -40V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:20hF
Производитель:
ON Semiconductor
SMMBT5401LT1G SMMBT5401LT1G Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
150 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Коэффициент усиления hFE:
80
SMMBT5551LT3G SMMBT5551LT3G HIGH VOLTAGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
SMMBTA06LT3G SMMBTA06LT3G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Коэффициент усиления hFE:
100
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
83 935 шт
Цена от:
от 1,01
SMMBTA42LT1G SMMBTA42LT1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
SMMBTA42LT3G SMMBTA42LT3G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
SMMBTA56LT3G SMMBTA56LT3G Биполярный транзистор PNP 80В 0.5A SOT-23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 220 шт
Цена от:
от 1,10
SMMBTA64LT1G SMMBTA64LT1G Биполярный транзистор PNP Дарлингтона 30В 0.5A SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP - Darlington
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
SMMBTA92LT1G SMMBTA92LT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
SMMBTA92LT3G SMMBTA92LT3G Биполярный транзистор PNP 300В 0.5A SOT-23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
SNSS30201MR6T1G SNSS30201MR6T1G Биполярный транзистор NPN 30В 2A TSOP-6
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TSOP-6
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
SPZT2907AT1G SPZT2907AT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
SPZT651T1G SPZT651T1G Bipolar transistors - BJT SS 60V XSTR NPN SPL
Производитель:
ON Semiconductor
На странице: