Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
SBC847BLT1G SBC847BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 568 122 шт
Цена от:
от 0,39
SBC847BPDW1T1G SBC847BPDW1T1G Биполярный транзистор сборка NPN/PNP 45В 0.1A SOT-363
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Биполярный транзистор NPN 45В 0.1A SOT-323
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC847CWT1G SBC847CWT1G Транзистор биполярный NPN 45В 0.1A SOT-323
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420 @ 2mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
SBC856BLT3G SBC856BLT3G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC856BWT1G SBC856BWT1G Биполярный транзистор PNP 65В 0.1A SOT-323
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBC857BDW1T1G SBC857BDW1T1G Биполярный транзистор сборка 2 PNP 45В 0.1A SOT-363
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
SBC857BWT1G SBC857BWT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
63
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
130 МГц
SCBCP56-10T1G Биполярный транзистор NPN 80В
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
SMMBT2222ALT3G SMMBT2222ALT3G Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SOT-23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
33 000 шт
Цена от:
от 3,16
SMMBT3904TT1G SMMBT3904TT1G Биполярный транзистор NPN 40В 0.2A SOT416
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
SMMBTA64LT1G SMMBTA64LT1G Биполярный транзистор PNP Дарлингтона 30В 0.5A SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP - Darlington
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
SMMBTA92LT1G SMMBTA92LT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
10 000 шт
Цена от:
от 22,31
SPZT651T1G SPZT651T1G Bipolar transistors - BJT SS 60V XSTR NPN SPL
Производитель:
ON Semiconductor
SPZT751T1G SPZT751T1G Bipolar transistors - BJT SS SOT223 HC XSTR PNP 60V
Производитель:
ON Semiconductor
SS8050CTA SS8050CTA Bipolar Transistors - BJT NPN/25V/1.5A/120-200
Производитель:
ON Semiconductor
SS8050DBU SS8050DBU Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
14 000 шт
Цена от:
от 7,66
SS9014CBU SS9014CBU Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
450 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
270 МГц
На странице: