Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
Акция
SBC847CLT1G SBC847CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
613 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 496 075 шт
Цена от:
от 1,06
KSE350STU KSE350STU Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
563 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 46,60
Акция
BUT11ATU BUT11ATU Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 5 А, 100 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Наличие:
551 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 010 шт
Цена от:
от 81,17
Акция
MPSA42G MPSA42G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
544 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 000 шт
Цена от:
от 6,43
BU406TU BU406TU Биполярный транзистор, NPN, 200 В, 7 А, 60Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
200 В
Ток коллектора Макс.:
7 А
Мощность Макс.:
60 Вт
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
10 МГц
Наличие:
524 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
163 шт
Цена от:
от 57,55
Акция
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
215 МГц
Наличие:
510 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 443 шт
Цена от:
от 18,02
BD244CG BD244CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 65Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
6 А
Мощность Макс.:
65 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
500 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
10 шт
Цена от:
от 72,90
TIP32AG TIP32AG Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А, 40 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
500 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 49,81
MJE15034G MJE15034G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 4 А, 50 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Наличие:
470 шт

Внешние склады:
510 шт
Цена от:
от 85,45
Акция
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Наличие:
457 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
110 479 шт
Цена от:
от 1,19
Акция
PZT751T1G PZT751T1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А, 0.8 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
75
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
Наличие:
445 шт

Внешние склады:
70 шт
Цена от:
от 13,06
FJP13007H1TU FJP13007H1TU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 80 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
400 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
80 Вт
Наличие:
423 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 069 шт
Цена от:
от 25,20
MJE340G MJE340G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 20 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-32 (TO-126)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
400 шт

Внешние склады:
800 шт
Аналоги:
470 шт
Цена от:
от 33,24
MJE350G MJE350G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 20W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
400 шт

Внешние склады:
70 шт
Аналоги:
767 шт
Цена от:
от 43,04
Акция
BCW71 BCW71 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
395 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,53
MJE15035G MJE15035G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 4 А, 50 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
372 шт

Внешние склады:
610 шт
Цена от:
от 76,15
Акция
KSA931 KSA931 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.7 А, 1 Вт, (Комплементарная пара KSC2331)
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-92MOD/formed
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
0.7 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Наличие:
371 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,37
BD243CG BD243CG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
6 А
Мощность Макс.:
65 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
310 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 63,10
KSC5039FTU KSC5039FTU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 5 А, 30 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
800 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
30 Вт
Наличие:
300 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,86
TIP122G TIP122G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
300 шт

Внешние склады:
700 шт
Аналоги:
22 959 шт
Цена от:
от 16,45
На странице: