Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

MJF15031G Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 8 А, 36W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

150 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Наличие:

145 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 185,11₽

MJF45H11G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А, 36Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

40 МГц

Наличие:

201 шт

Внешние склады:

1 250 шт

Цена от:

от 82,25₽

MJL1302AG Биполярный транзистор, PNP, 260 В, 15 А, 200 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO264

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

260 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Наличие:

80 шт

Внешние склады:

570 шт

Цена от:

от 301,51₽

MJL21193G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 200 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-264

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

88 шт

Внешние склады:

1 080 шт

Цена от:

от 267,07₽

-6% Акция

MJL3281AG Биполярный транзистор, NPN, 260 В, 15 А, 200W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-264

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

260 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Наличие:

74 шт

Внешние склады:

520 шт

Цена от:

от 251,47₽

MJW21193G Биполярный транзистор, PNP, 16A, 250V, 200 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

43 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 506,54₽

MMBT2222ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

15 132 шт

Внешние склады:

2 095 200 шт

Аналоги:

265 342 шт

Цена от:

от 0,89₽

MMBT2222ATT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.15 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

150 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

10 579 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,98₽

Акция

MMBT2222AWT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

150 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

2 848 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1,12₽

-6% Акция

MMBT2222LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.6 А, 0.225 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

250 МГц

Наличие:

6 772 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 0,66₽

-6% Акция

MMBT2369ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А, 0.225 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

15 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

225 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Наличие:

2 086 шт

Внешние склады:

42 000 шт

Цена от:

от 2,59₽

Акция

MMBT2907ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, 0.225Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

200 МГц

Наличие:

25 574 шт

Внешние склады:

115 438 шт

Аналоги:

1 040 847 шт

Цена от:

от 1,41₽

MMBT3904LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

43 422 шт

Внешние склады:

1 385 750 шт

Аналоги:

1 264 297 шт

Цена от:

от 0,67₽

-6% Акция

MMBT3904TT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0,2 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

1 409 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 3,12₽

-6% Акция

MMBT3904WT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

150 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

2 239 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 4,28₽

MMBT3906LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

250 МГц

Наличие:

43 293 шт

Внешние склады:

323 850 шт

Аналоги:

1 041 741 шт

Цена от:

от 0,80₽

Акция

MMBT3906TT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А, 0,2 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

200 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

250 МГц

Наличие:

4 698 шт

Внешние склады:

66 000 шт

Цена от:

от 1,62₽

-6% Акция

MMBT3906WT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

150 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

250 МГц

Наличие:

13 652 шт

Внешние склады:

80 190 шт

Цена от:

от 1,84₽

Акция

MMBT4401LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.3W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

250 МГц

Наличие:

6 164 шт

Внешние склады:

2 288 250 шт

Аналоги:

2 259 377 шт

Цена от:

от 0,95₽

MMBT4403LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А, 0.3Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

200 МГц

Наличие:

11 138 шт

Внешние склады:

193 150 шт

Аналоги:

481 644 шт

Цена от:

от 1,04₽